Введение
ГЛАВА 1. ПРИРОДА И ВИДЫ РАДИОАЦИОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ЕГО ВЛИЯНИЕ НА ЭЛЕМЕНТЫ СБИС.
1.1. Космическая радиационная среда
1.2. Виды и классификация ионизирующих излучений.
1.3. Виды и влияние отдельных заряженных частиц на элементы СБИС
1.4. Стационарное ионизирующее излучение и его влияние на элементы СБИС
1.5. Импульсное ионизирующее излучение и его влияние на элементы СБИС
Гб.Выводы.
ГЛАВА 2. КЛАССИЧЕСКИЕ РЕАЛИЗАЦИИ СТОЙКИХ К НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ МОП ТРАНЗИСТОРОВ, ИХ ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ
2.1. Механизмы и места образования радиационноиндуцированных утечек в МОП элементах СБИС
2.2. Методы устранения межтранзисторных утечек, индуцированных воздействием накопленной дозы ионизирующего излучения.
2.2.1. Использование высоколегированных охранных колец
2.2.2. Использование подложки типа КНИ
2.3. Методы устранения внутритранзисторных утечек, индуцированных воздействием накопленной дозы ионизирующего излучения.
2.3.1. Использование кольцевой архитектуры затвора
2.3.2. Использование комбинированных методов
2.4. Радиационностойкие реализации Иканальных МОПТ на объмном кремнии.
2.5. Радиационностойкие реализации Ыканальных КНИ МОПТ.
2.6. Выводы
ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ РАСЧЕТА СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ СБИС К НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ СРЕДСТВ ПРИБОРНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ.
3.1. Существующие программы анализа характеристик полупроводниковых приборов.
3.2. Возможности САПР БУМОРБУБ и выбор программ данного пакета для проведения исследования влияния конструкции и технологического маршрута изготовления МОП транзистора на стойкость к ионизирующему излучению.
3.3. Способы оценки пробивного напряжения с помощью инструментов приборнотехнологического моделирования.
3.4. Способы оценки статических электрических параметров МОПтранзистора с помощью инструментов приборнотехнологического моделирования.
3.5. Оценка стойкости МОПтранзистора к воздействию стационарного ионизирующего излучения с помощью приборнотехнологического моделирования.
3.6.Вывод ы.
ГЛАВА 4 ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КМОП ЭЛЕМЕНТОВ СБИС НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ СТАДИОНАРНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПРИМЕРЕ ТЕХНОЛОГИИ 0. МКМ.
4.1. Исследование конструктивнотехнологических особенностей КМОП элементов СБИС, определяющих стойкость к воздействию стационарного ионизирующего излучения.
4.2. Исследование влияния режима включения транзистора на стойкость к воздействию стационарного ИИ
4.3. Исследование влияния концентрации примеси в канальной области паразитного транзистора на стойкость к воздействию стационарного ИИ.
4.4. Компромисс между стойкостью к накопленной дозе ионизирующего излучения, напряжением пробоя и площадью МОП транзистора
4.5. Выводы.
ГЛАВА 5. МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ СТОЙКОСТИ ГЛУБОКОСУБМИКРОННЫХ ИКАНАЛЬНЫХ МОПЭЛЕМЕНТОВ СБИС К ВОЗДЕЙСТВИЮ СТАЦИОНАРНОГО ИИ С ПОМОЩЬЮ ФОРМИРОВАНИЯ РОХРАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПО ПЕРИМЕТРУ БОКОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ
5.1. Формулировка методики повышения стойкости глубокосубмикронных СБИС с помощью формирования рохранных областей по периметру боковой изоляции
5.2. Технологическая методика формирования охранных областей Р типа по периметру изоляции в субмикронных Ыканальных транзисторах
5.2.1. Использование примеси бора для создания охранных областей
5.1.2. Использование примеси индия для создания охранных областей.
5.3. Выводы
ГЛАВА 6. МЕТОДИКА ПОВЫШЕНИЯ СТОЙКОСТИ ГЛУБОКОСУБМИКРОННЫХ ЫКАНАЛЬНЫХ МОПЭЛЕМЕНТОВ СБИС К ВОЗДЕЙСТВИЮ СТАЦИОНАРНОГО ИИ С ПОМОЩЬЮ ФОРМИРОВАНИЯ РОХРАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПО ПЕРИМЕТРУ РЫ ПЕРЕХОДОВ СТОК ИСТОКПОДЛОЖКА
6.1. Формулировка методики повышения стойкости глубокосубмикронных СБИС с помощью формирования Рохранных областей по периметру рп переходов сток истокЛтодложка.
6.2. Влияние модификации Р кармана транзисторов входавыхода на стойкость к воздействию стационарного ИИ и электрические параметры.
6.3.Влияние модификации Р кармана транзисторов с низкими токами утечек на стойкость к воздействию стационарного ИИ и электрические параметры.
6.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922