Ви є тут

Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина

Автор: 

Вострухин Олег Александрович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197731

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Волоконные световоды на основе высокочистого кварцевого стекла с высокой концентрацией легирующих элементов, полученные методом MCVD
• Теплоемкость высокочистого кремния