Особенности воздействия милли- и наносекундного лазерного излучения на полупроводниковые материалы твердотельной электроники

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
1. Тепловая модель нагрева полупроводников лазерным излучением
1.1. Возможности лазерных методов эпитаксии и отжига полупроводников
1.2. Твердофазная кристаллизация полупроводниковых слоев под действием лазерного излучения.
1.3. Лазерная жидкофазная кристаллизация полупроводников
1.4. Лазерные методы формирования новых структурных модификаций материалов
Заключение к главе 1.
2. Методика эксперимента .
2.1. Методы обработки полупроводников импульсным лазерным излучением.
2.2. Лазерные установки для обработки полупроводниковых материалов .
2.3. Методика исследования динамики процессов нагрева, плавления и кристаллизации полупроводников импульсным лазерным излучением.
2.4. Аппаратура и методика исследования структуры материала и распределения примесных элементов в перекристаллизованных слоях
2.5. Приготовление образцов
Заключение к главе 2.
3. Исследование процессов нагрева полупроводников миллисекундными
импульсами лазерного излучения.
3.1. Динамика нагрева полупроводников импульсами лазерного излучения миллисекундной длительности
3.2. Морфология поверхности полупроводников при воздействии импульсного лазерного излучения.
3.3. Расчет температурных полей и оптимизация процессов лазерной обработки полупроводников
3.4. Диссоциация полупроводниковых соединений под действием импульсного лазерного излучения
Заключение к главе 3.
4. Кристаллизация полупроводников из жидкой фазы в условиях
импульсного лазерного воздействия
4.1. Лазерная жидкофазная эпитаксия полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов.
4.2. Влияние сил поверхностного натяжения на морфологию поверхности перекристаллизованных слоев
4.3. Неустойчивость фронта кристаллизации при лазерной эпитаксии
полупроводников
4.4. Дислокационная структура полупроводниковых слоев, полученных методом лазерной эпитаксии.
Заключение к главе 4
5. Перераспределение примесей при лазерной обработке полупроводников
5.1. Механизм перераспределения примесей при воздействии на полупроводники миллисекундных лазерных импульсов.
5.2. Особенности сегрегационных явлений при наносекундном лазерном отжиге
5.3. Влияние легирующих примесей на структурообразованис при лазерной эпитаксии полупроводниковых слоев
Заключение к главе 5.
Выводы.
Литература