Содержание
Введение
1. Характеристики элементов фоточувствительных микросистем и методы их моделирования.
1.1. Структура фоточувствительных микросистем.
1.2. Задачи и методы приборнотехнологического моделирования.
1.3. Особенности технологического моделирования.
1.4. Приборное моделирование субмикронных структур.
1.5. Выводы
2. Приборнотехнологическое моделирование МДПтранзисторных структур субмикронных размеров.
2.1. Особенности структуры, влияющие на выбор моделей.
Критерии выбора моделей и их параметров.
2.2. Калибровка моделей при приборнотехнологическом
моделировании ПТМ субмикронных структур
2.3. Моделирование и оптимизация МОПтраизистора с длиной
канала 0, мкм
2.4. Выводы
3. Исследование конструктивнотехнологических принципов создания транзисторов с дельталегированием в области канала.
3.1. Особенности структуры транзистора.
3.2. Проблемы технологического моделирования непланарной
структуры транзистора с узкими профилями легирования.
3.3. Моделирование сложного рельефа при окислении и
травлении.
3 А. Приборное моделирование структуры с учетом нелокальных
эффектов транспорта носителей.
3.5. Выводы
4. Разработка методов моделирования и конструктивно
технологических решений создания фоточувствительных
элементов.
4.1. Приборнотехнологическое моделирование
фоточувствительных элементов.
4.2. Структура фотодиода с лавинным умножением.
4.3. Анализ и оптимизация конструкции фотодиода.
4.4. Выводы
Заключение.
Список использованных источников
- Київ+380960830922