ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1 КНДТЕХНОЛОГИИ. СПОСОБЫ СОЗДАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ.
1.1. Зонная рекристаллизация поликристалличсского кремния.
1.1.1. Лазерная рекристаллизация
1.1.2. Рекристаллизация полосковым нагревателем.
1.1.3. Рекристаллизация источниками некогерентного
излучения
1.1.4. Электроннолучевая рекристаллизация
1.2. Дефекты рекристаллизованного слоя
1.3. Способы улучшения кристаллографического совершенства рекристаллизуемого слоя.
1.4. Выводы.
ГЛАВА 2. РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
ДЛЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ
РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛИКРЕМНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ
2.1. Решение задачи без учета графитового основания и фазового перехода
2.2. Анализ теплового состояния структуры без учета графитового состояния и фазового перехода.
2.3. Моделирование и анализ теплового состояния структуры с учетом влияния графитового состояния
2.4. Теплофизическое состояние структуры на этапах плавления, кристаллизации
2.5. Моделирование термодинамического состояния многослойной структуры, обрабатываемой плоским электронным лучом
2.6. Термокапиллярное перераспределение расплавленного иоликремния.
2.7. Выводы
ГЛАВА 3. РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПОЛИКРЕМНИЯ ЭЛЕКТРОННЫМ ЛУЧОМ ЛЕНТОЧНОЙ ФОРМЫ
3.1. Организация процесса рекристаллизации.
3.2. Свойства исходного слоя поликремния П
3.3. Исследование процесса перекристаллизации поликремния т изолирующем основании.
3.4. Исследова1ше кристаллографической структуры
рекристаллизованных пленок.
3.4.1. Влияние кристаллографических дефектов на свойства
рекристаллизованного кремния.
3.4.2. Методы анализа кристаллографического состояния
рекристаллизованного слоя
3.4.3. Исследование кристаллографической структуры плеш i, рекристаллизованных на диэлектрике без использования затравок.
3.4.4. Механизмы образования структурных дефектов в процессе рекристаллизации.
3.5. Исследование морфологии рекристаллизованного кремния.
3.6. Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922