Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах

ВВЕДЕНИЕ
1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИИ И ИХ
ГЕНЕРИРОВАНИЕ.
1.1. Влияние точечных дефектов на электрофизические свойства кремния и полупроводниковых структур на его основе
1.2. Перестройка электронного энергетического строения кремния, обусловленная атомами переходных и щелочных
металлов
1.3. Методы геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах и контроля их электрофизических свойств
1.4. Выводы и постановка цели и задач диссертационной работы
2. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕСТРОЙКИ ЭЛЕКТРОННОГО
ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ КРЕМНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ
АТОМАМИ НИКЕЛЯ И ЛИТИЯ
2.1. Методика расчета электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами.
2.2. Комплекс дефектов, содержащий два атома замещения никеля или лития.
2.3. Комплекс дефектов, содержащий атом замещения никеля или лития и структурную вакансию
2.4. Расчеты электронного энергетического строения кремния в рамках разработанных моделей и анализ полученных результатов
2.5. Выводы.
3. МОДЕЛИРОВАНЕ ПРОЦЕССА ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ.
3.1. Анализ механизмов взаимодействия точечных и протяженных дефектов и методов их моделирования.
3.2. Моделирование процесса геттерирования нарушенным слоем, сформированным на нерабочей стороне кремниевой
подложки.
3.3. Моделирование процесса геттерировапия нарушенным слоем, сформированным на рабочей стороне кремниевой подложки.
3.4. Анализ перераспределения атомов в кремниевой подложке в процессе их геттерирования.
3.5. ВыводыЮ
4. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОПЕРАТИВНОГО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА
ГЕТТЕРИРОВАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МДПДМ СТРУКТУР
4.1 Модель МДПДМ структуры
4.2. Метод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ структур.
4.3. Анализ применимости метода контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ структур.
4.4. Выводы.
5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В
КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ, СФОРМИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ
ОБРАБОТКОЙ
5.1. Геттерирование электрически активных дефектов при формировании нарушенного слоя на нерабочей поверхности подложки
5.2. Планарное геттерирование электрически активных дефектов при формировании нарушенного слоя на рабочей поверхности
подложки
5.3. Рекомендации по использованию метода геттерирования электрически активных дефектов в кремнии нарушенным слоем нерабочей стороны подложки, сформированным электроискровой обработкой
5.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРНЫХ ИСТОЧНИКОВ