Ви є тут

Математическое моделирование эмиссии электронов из острийных структур

Автор: 
Вараюнь Марина Ивановна
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
149
Артикул:
246861
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
I. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ЭМИССИОННЫХ ПРОЦЕССОВ И ОСТРИЙНЫХ СТУКТУР.
1.1. Потенциальный барьер и его прозрачность
1.1.1. Постановка задачи.
1.1.2. Методы расчета и определения прозрачности
. Численные методы типа РунгеКутты
Б. Квазиклассический метод ВентцеляКрамерсаБриллюэна
. Метод малых вариаций работы выхода.
1.2. Теория электронной эмиссии
1.2.1 Распределение электронов по энергиям
1.2.2. Работа выхода
1.2.3. Плотность тока.
1.2.4. Параметры эмиттера.
1.3. Выводы
II. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЛОСКОГО ЭМИТТЕРА
2.1. Моделирование металлического эмиттера.
2.1.1. Расчет прозрачности методом РунгеКутты
2.1.2. Модель ВКБ.
2.1.3. Центроид индуцированного заряда
2.1.4. Обоснование результатов
2.2. Моделирование полупроводникового эмиттера.
2.3. Выводы.
III. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОСТРИЙ1ЮГО ЭМИТТЕРА
3.1. Интегральная зависимость ФаулераНордгейма.
3.2. Расчет потенциала и напряженности моля.
в криволинейных координатах.
3.3. Построение волы амперных характеристик.
3.4. Аппроксимация формы реального эмиттера.
3.5. Аналитическое исследование задачи
3.6. Сравнение параметров эмиттера, полученных разными методами .
3.7. Выводы
IV. ВОССТАНОВЛЕНИЕ ПРОЗРАЧНОСТИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА
4.1. Метод вариаций внешнего поля
4.1.1. Постановка задачи
4.1.2. Общий подход.
4.1.3.роверка предположений.
4.1.4. Численный эксперимент
4.1.5. Устойчивость метода к погрешностям измерения.
4.2. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА