Анализ и оптимизация фотолитографических процессов при флуктуации параметров фоторезистной пленки

Введение.
I лава 1. Аналитический обзор литературы, постановка цели и задач исследований8.
1.1. Состояние рынка продукции микроэлектроники8.
1.2. Технологический процесс фотолитографииII.
1.2.1. Технологическая схема процесса, материалы, обору
дование
1.2.2. Свойства фоторезистов и пленок на их основе
1.3. Процессы, оказывающие влияние на точность воспроизведения элементов микросхем при фотолитографии.3.
1.3.1. Оптические процессы3.1.
1.3.2. Совмещение
1.3.3. Проявление
1.3.4. Травление .
1.4. Постановка цели и задач исследований.
Глава 2. Математическое моделирование и оптимизация процесса нленкообразования фоторезиста5.
2.1. Современное состояние вопроса по пленкообразованию фоторезиста.
2.2. Обоснование схемы нанесения фоторезиста.
2.3. Обоснование выбора методики измерения толщины пленок фоторезиста5Ь.
2.4. Математическое моделирование процесса гшенкообразования фоторезиста.
2.4.1. Реологические исследования позитивного фоторезиста.
2.4.2. Исследование зависимости толщины пленок фоторезиста от скорости вращения центрифуги и от вязкости фоторезистаМ
2.4.3. Разработка математической модели процесса пленкообразования фоторезиста с применением полного факторного эксперимента8.5.
2.4.4. Определение оптимальных технологических режимов процесса получения пленок фоторезиста.8.
2.4.5. Оценка резко выделяющихся результатов экспериментальных измерений.8.
Выводы по главе 2
Глава 3. Экспериментально аналитический метод определения
вероятностных характеристик толщины фоторезистных иленок.Т
3.1. Анализ распределения толщины пленки фоторезиста по подложке7м.
3.2. Плотность распределения толщины пленки фоторезиста 7М.
3.3. Разработка методики статистического исследования распределения толщины пленки фоторезиста по поверхности подложки. .
3.4. Постановка, проведение эксперимента и обработка результатов7.9.
Выводы по главе 3
Глава 4. Анализ процесса фотолитографии и оптимальный синтез фотошаблона.2.
4.1. Статистический анализ процесса фотолитографии.
4.1.1. Функциональные преобразования размеров рисунка фотошаблона в процессе экспонирования и проявления
фотослои.
4.1.2. Преобразование размеров рисунка фотошаблона в процессе травления тонких пленок9.
4.2. Разновидности технологических процессов
4.3. Статистический синтез фотошаблона9.9.
4.4. Экспериментальное определение величины искажения ширины линии рисунка фотошаблона и параметров полигауссова распределения ширины
4.5. Влияние оптимизации фотошаблона на выходные параметры тонкопленочного датчика температуры.9.
Выводы по главе 4
Заключение.
Список литературы