Ви є тут

Пороговые фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe

Автор: 

Северцев Владимир Николаевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

243

Артикул:

1000293078

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства
• Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
• Локальная диагностика объектов микро-, нано- и оптоэлектроники в вакууме, газе и жидкости методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии
• Интегральные полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля
• Разработка технологии изготовления, исследование свойств нанокомпозитного материала состава SiO2SnOxCuOy и характеристик сенсора газа на его основе
• Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро- и наноэлектроники
• Электрофизические свойства нанокомпозитов на основе SnO2
• Фокусирующая Френелевская оптика скользящего падения
• Диагностика источников электронов по двумерным изображениям
• Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2SnOxAgOy