Разработка конструкции и технологии формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
1.1 воздействие радиации на рм переход о
1.2. Воздействие радиации на полупроводниковые приьорм
Транзисторы ЗI
ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА СТРУКТУРУ ДИЭЛЕКТРИКПОЛУПРОВОДНИК
2.1. Зарядов ая нестабильность в диэлектрических пленках
2.2. ВОЛ ЫФА РАДИ Ы МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУР ДИЭЛЕКТРИК ПОЛУПРОВОДНИК
2.3. Влияние радиации на свойства структур диэлектрик полупроводник
2.4. Модель накопления заряда в системе металл диэлектрик полупроводник 7
ГЛАВА 3. ВОЗДЕЙСТВИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА БИПОЛЯРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
3.1. Влияние радиации ил транзисторные структуры изготовленные по различным конструктивнотехнологическим вариантам
3.2. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО II1ЛУЧЕНИЯ НА БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3.3. Разработка рлдлииошо о стойких биполярных структур с межкомпонентной
И ЗО, Я Ц I ЕЙ КИСЛОМ
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА РАДИАЦИОННОСТОЙКОЙ БИПОЛЯРНОЙ СТРУКТУРЫ ПО САМОСОВМЕЩЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ
4.1. Зависимость свойств защитных пленок бО и БьК от технологических
ПАРАМЕТРОВ
4.2. Снижение дефектности окисных пленок
4 Д. Свойства ли электрических пленок БьХ от температуры их получения юз
4.4. ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ С СЛМОООВМ ЕЩЕ ИНЫМИ АКТИВНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ из О КРЕМНИЯ
4.5. Технология формирования радиационностойких биполярных
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА