- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2002
Кількість сторінок:
95
Артикул:
233146 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Разработка теоретических основ проектирования сенсоров давления с тензочувствительными элементами специальной формы
- Гетероэпитаксиальные планарные структуры из монокристаллического молибдена и ниобия и их электронно-транспортные свойства
- Исследование закономерностей структурного роста и люминесцентных свойств слоев пористого кремния
- Исследование предельных режимов возбуждения поликристаллических электролюминесцентных излучающих структур
- Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов
- Исследование перспективных фотолитографических процессов с суб-0.2 мкм проектными нормами с помощью математического моделирования
- Физико-технологические основы создания функциональных элементов наноэлектроники на основе квазиодномерных проводников
- Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs
- Лазерное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O7- δ для применений в пассивных высокочастотных устройствах
- Разработка научных основ создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методами приборно-технологического моделирования