Введение
Глава 1. НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ И СПОСОБЫ ИХ
ПОЛУЧЕНИЯ
1.1. Методы формирования одномерных структур квантовых нитей
1.1.1. Литографические методы
1.1.2. Формирование низкоразмерных структур на фасетированных
поверхностях.
1.1.3. Одномерные структуры на разориентированных подложках
1.1.4. Низкоразмерные структуры с анизотропными
характеристиками.
1.2. Двойные квантовые ямы АЮаАвСаАзАЮаАз с тонким разделяющим ААб слоем
1.2.1. Электроны и фононы в квантовой яме
1.2.2. Рассеяние электронов на полярных оптических фононах
1.2.3. Скорости рассеяния и подвижность электронов в
гетероструктурных квантовых ямах.
Глава 2. ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ
ПОВЕРХНОСТИ РОСТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛНОК ваАя
2.1. Особенности молекулярнолучевой эпитаксии ваАБ на подложках
с ориентацией 1А, 1В
2.1.1. Выращивание плнок и методы исследования.
2.1.2. Результаты исследования структурных свойств
2.1.3. Фотолюминесцентные исследования
2.1.4. Выводы по разделу 2.1.
2.2. Распределение и перераспределение кремния в эпитаксиальных плнках СаАэ, выращенных на подложках с ориентациями 0, 1А, 1 В
2.2.1. Введение.
2.2.2. Приготовление образцов и методы исследования.
2.2.3. Результаты измерений и обсуждение
2.2.4. Выводы по разделу 2.2
Глава 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ АМФОТЕРНОСТИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ О КРЕМНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ рпПЕРЕХОДОВ
НА ПОДЛОЖКАХ СаАэ С ОРИЕНТАЦИЕЙ 1А
3.1. Формирование диодной структуры и методы измерений
3.2. Электрические и оптические свойства эпитаксиальных слоев п и ртипа проводимости при формировании планарных рппереходов
3.3. Вольтамперные характеристики рппереходов.
3.4. Выводы к главе 3.
Глава 4. МОЛЕКУЛЯРНОЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ НА
СЛАБОРАЗОРИЕНТИРОВАННЫХ В НАПРАВЛЕНИИ 2И
ПОДЛОЖКАХ 1А
4.1. Электрофизические и оптические свойства 5легированных кремнием эпитаксиальных слоев , выращенных на разориентированных в
направлении 1 поверхностях 1А СаАБ
4.1.1. Введение
4.1.2. Получение эпитаксиальных структур с 5легированными кремнием слоями и методы исследования
4.1.3. Обсуждение результатов исследования.
4.1.4. Выводы
4.2. Анизотропия проводимости в бЗГлегированных слоях, выращенных
методом МЛЭ на разориентированных в направлении 1 подложках 1А
4.2.1. Введение
4.2.2. Рост эпитаксиальных плнок с квазиодномерными структурами и подготовка образцов к измерениям.
4.2.3. Результаты измерений и их обсуждение.
4.2.4. Выводы.
Глава 5. СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ЭФФЕКТЫ
РАЗМЕРНОГО КВАНТОВАНИЯ В ПРОСТЫХ И СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ x,.xx,.x
5.1. Введение.
5.2. Приготовление образцов и методики экспериментов
5.3. Результаты экспериментов по вторичноионной массспектроскопии и рентгеновской дифракции и их обсуждение
5.4. Результаты исследования эффектов размерного квантования методом спектроскопии фотоотражения и их обсуждение
5.5. Выводы
Глава 6. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПРОСТЫХ И СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ С ДВУСТОРОННИМ ЛЕГИРОВАНИЕМ
6.1. Приготовление образцов и методы измерений.
6.2. Зависимость подвижности электронов от толщины квантовых ям
6.3. Результаты гальваномагнитных измерений в связанных квантовых ямах с двусторонним легированием и их обсуждение.
6.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК РАБОТ, ВОШЕДШИХ В ДИССЕРТАЦИЮ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922