Туннельные переходы Ti/TiO x /Ti с малой ёмкостью: перенос заряда и одноэлектронные явления

Введение
Глава 1. Туннельные переходы для одноэлектронных устройств обзор
литературы
1.1. Туннельный механизм проводимости через тонкие диэлектрические
1.1.1. Зависимость тока и проводимости туннельного контакта от
толщины, температуры и приложенного напряжения
1.1.2. Статистические флуктуации сопротивления туннельного контакта 1.1.3. ВАХ туннельного контакта, содержащего локализованные
состояния.
1.2. Одноэлектронные эффекты.
1.3. Методы создания туннельных переходов для одноэлектронных
устройств.
Заключения и выводы к гл.1.
Глава 2. Изготовление туннельных переходов Т1ПОхТ1 сквозным окислением
полоски Л
2.1. Изготовление туннельных переходов ПТЮхП
2.1.1. Контроль размеров изготавливаемых структур
2.1.2. Электронная литография
2.1.3. Технология изготовления туннельных переходов Т1ТЮХТ1
2.1.4. Контроль сопротивления туннельных переходов.
2.2 Низкотемпературные электрофизические измерения
Заключения и выводы к гл.2.
Глава 3. Перенос заряда в туннельном переходе ТцТЮхП, сформированном
сквозным окислением полоски Т.
3.1. Статистический анализ сопротивлений туннельных переходов.
3.2 Температурная зависимость сопротивления туннельных переходов
3.3. Вольтамперные характеристики туннельных переходов.
3.3.1. Вольтамперная характеристика туннельных переходов при
температуре 4.2К
3.3.2. Затворная ВАХ при температуре 4.2К
Заключения и выводы к гл.З.
Глава 4. Одноэлектронные эффекты в структурах с двумя туннельными
переходами.
4.1. Численное моделирование одиоэлектронного туннелирования на основе
ортодоксальной теории
4.2. Экспериментальные результаты по наблюдению одноэлектронного
туннелирования.
4.3. Особенности одноэлектронного туннелирования в переходах Т1ТЮХП,
нелинейных по напряжению
Заключения и выводы к гл.4
5.3аключение
Список литературы