ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.
Актуальность темы.
ф Цель работы
Научная новизна
Практическая ценность
Положения, выносимые на защиту.
Публикации.
Личный вклад.
ОСНОВЫ ОРГАНИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВА НАДЕЖНЫХ ИЗДЕЛИЙ
МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.
1.1.Основные факторы ненадежности интегральных микросхем.
1.1.1. Дефекты окисла при изготовлении микросхем.
1.1.2.Поверхностные эффекты в кремниевых элементах.
1.1.3.Дефекты металлизации.
Ф 1.1.4,Отказы резисторов микросхем
1.1.5.0тказы емкостных элементов микросхем.
1.1 .б.Механизмы отказов в МДП транзисторах
1.1.7. Влияние корпуса на отказы микросхем
1.2. Повышение надежности электронной аппаратуры за счет новых технологий.
1.3. Надежность резервированных объектов.
, 1.4. Использование корректирующих кодов для повышения
эксплуатационной надежности ЭВА
1.5. Основные методы контроля изделий электронной техники
1.6. Испытания микроэлектронных изделий
1.7. Прогнозирование надежности микроэлектронных изделий.
ф 1.9. Выводы
УСКОРЕННЫЕ ИСПЫТАНИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИЭТ
2.1. Основные направления ускоренных испытаний.
2.2. Воздействие повышенных температур и напряжений на МОП ЗУ
2.3. Выбор методики ускоренных испытаний БИС ЗУ 5РУ1.
2.4. Выбор и обоснование температуры испытаний.
2.5. Выбор превышающего напряжения и способа его приложения
2.6. Обоснование времени проведения ускоренных испытаний.
2.7. Требования к стенду для ускоренных испытаний микросхем типа 5РУ1 .
2.8. Контроль работоспособности 5РУ1.
, ф 2.9. Пример разработки стенда для ускоренных испытаний 5РУ1
2 Анализ результатов исследования микросхем 5РУ1.
2 Пример разработки стенда для ускоренных, испытаний микросхем 5РУ5 и 5РУ6
2 Методика ускоренных испытаний ПЗУ 6 серии.
2Вывод ы
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННЫХ ЯВЛЕНИЙ В КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
3.1. Радиационные дефекты в кремнии.
3.2. Радиационные эффекты в кремниевых транзисторах.
3.3.Поверхностныс эффекты в полупроводниковых приборах, вызванных радиацией.
3.4.Вывод ы.
ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И КОНСТРУКТИВНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ИХ РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТЬ.
4.1. Технологические особенности исследованных интегральных транзисторов, источники излучений и методика облучения
4.2.Влияние радиации на кремниевые биполярные транзисторы.
4.3.Влияние рентгеновского излучения на коэффициент усиления по току транзисторов
4.4.Влияние электронного облучения на коэффициент усиления по току транзисторов
4.5. Влияние у излучения на коэффициент усиления по току транзисторов
4.6. Влияние у нейтронного облучения на коэффициент усиления по току транзисторов.
4.7.Влияние облучения протонами на коэффициент усиления по току транзисторов.
4.8. Сравнение различных видов излучений по воздецствию на транзисторы .
4.9. Влияние облучения на обратные токи переходов и токи утечки транзисторов микросхем.
4Влияние облучения на напряжения пробоя
4 Влияние облучения на Ипараметры транзисторов микросхем.
4 Выводы.
РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ
5.1. Влияние гаммаоблучения на МОП транзисторы интегральных микросхем ИМС
5.2. Радиационная стойкость микросхем 4 серии к гамма облучению
5.3. Радиационная стойкость интегральных микросхем серии
5.4. Исследование микросхем памяти для оценки их радиационной стойкости .
5.5.Вы воды
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИСПЫТАНИЙ И СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ МЕТОДОВ ИСПЫТАНИЙ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ОЦЕНКИ ИХ
РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ.
6.1 .Последовательность испытаний ИМС для определения их радиационной
стойкости
6.2.0пределение аналогов микросхем по радиационной стойкости.
6.3.Классификация ИМС по радиационной стойкости
6.4.Моделирование гаммаимпульсного воздействия электронным импульсным воздействием
6.5.Вывод ы
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ В
ПРОИЗВОДСТВЕ ИМС.
7.1.Влияние гаммаоблучения и отжига на критериальные параметры ИМС
7.2.0тбраковка потенциально дефектных ИМС на пластинах.
7.3.Отбраковка потенциально дефектных ИМС методом повышения температуры и подачи превышающего импульсного напряжения по шине
питания
7.4.Выводы
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
Список использованных источников
- Київ+380960830922