Ви є тут

Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов

Автор: 

Галицын Юрий Георгиевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

2001

Кількість сторінок: 

340

Артикул:

1000322276

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Высокотемпературная термодинамика и транспортные свойства твердых растворов на основе купрата YBa2Cu3O6+6
• Синтез и исследование ортоборатов иттрия и РЗЭ, активированных европием(III) для плазменных дисплеев
• Синтез, магнитные и электрические свойства наноструктурированного диоксида ванадия на поверхности кремнезема и кремния
• Особенности отклика ZnO - и SnO2 - сенсоров, модифицированных безметальными порфиринами, на летучие органические вещества
• Гидролиз аква, фторидных и оксалатных комплексов металлов и синтез металл-кислородных нанослоев методом ионного наслаивания
• Строение и свойства поверхностей и одномерных кристаллов слоистых полупроводниковых соединений A4B6, A52B63, A3B6
• Металлокомплексы Ni(II),Co(II),Fe(II) и Pd(II) бензазолилформазанов: синтез, строение, свойства
• Структура и фазовые превращения в квазикристаллообразующих и β-сплавах системы Al-Cu-Fe
• Изучение особенностей микроструктуры и физико-механических характеристик сплавов на основе карбонитрида титана методом цифровой растровой микроскопии
• Синтез и исследование гранатов РЗЭ и алюминия для светоизлучающих диодов