Вы здесь

Развитие емкостных методов измерения профилей легирования полупроводниковых структур

Автор: 

Уткин Алексей Борисович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1999

Артикул:

1000222924

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Поляризационные явления в естественно-неупорядоченных полупроводниках с одиночной электронной парой
• Коллективные явления в суперионных проводниках
• Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
• Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
• Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs
• Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
• Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
• Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
• Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур
• Получение и исследование электрофизических свойств объемных и пленочных материалов в тройной системе Co-Ge-Te