РОЗДІЛ 2 Алгоритмічне забезпечення моделі
2.1 Вхідні та вихідні дані
Вхідними даними для розрахунку МОН-моделі є вузлові напруги та параметри, які
описують конкретну технологічну реалізацію МОН-транзистора. Вихідними
параметрами моделі є значення струмів, ємностей транзистора та провідностей,
які отримуються як похідні струмів по вузлових напругах.
Таким чином, в результаті розрахунку параметрів моделі необхідно підготувати на
основі вхідних даних набір результуючих величин та занести його до масивів
об’єкта дослідження.
2.1.1 Вхідні параметри моделі
В таблиці 2.1 перелічені головні параметри моделі BSIM3 короткоканального
МОН-транзистора.
Таблиця 2.1
Головні параметри моделі BSIM3
Назва параметра
Опис
Значення за вмовчанням
Розмірність
Контролюючі параметри
MOBMOD
Вибір моделі рухомості
CAPMOD
Вибір моделі ємності
NQSMOD
Вибір режиму NQS
NOIMOD
Вибір моделі шуму
Параметри постійного струму
VTH0
Порогова напруга при Vbs=0 для великих значень L
0,7
(n-канальний)
-0,7
(p-канальний)
K1
Коефіцієнт впливу підкладки першого порядку
0,5
K2
Коефіцієнт впливу підкладки другого порядку
K3
Коефіцієнт малої ширини
80
Продовж. табл. 2.1
K3B
Компонента впливу підкладки, коефіцієнт K3
1/В
W0
Параметр малої ширини
2.5•10-6
NLX
Коефіцієнт неоднорідності легування
1.74•10-7
VBM
Максимальне зміщення підкладки при розрахунку Vth
-3.0
DVT0
Перший коефіцієнт короткоканального ефекту Vth
2.2
DVT1
Другий коефіцієнт короткоканального ефекту Vth
0.53
DVT2
Коефіцієнт впливу зміщення підкладки короткоканального ефекту Vth
-0.032
1/В
DVT0W
Перший коефіцієнт ефекту малої ширини по Vth для малих довжин каналів
1/м
DVT1W
Другий коефіцієнт ефекту малої ширини по Vth для малих довжин каналів
5.3•10-6
1/м
DVT2W
Коефіцієнт впливу зміщення підкладки короткоканального ефекту по Vth для малих
довжин каналів
-0.032
1/В
U0
Рухомість носіїв
N-канальний: 670
P-канальний: 250
см2/(В•с)
UА
Перший коефіцієнт ефекту зменшення рухомості
2.25•10-9
м/В
UB
Другий коефіцієнт ефекту зменшення рухомості
5.87•10-19
(м/В)2
UС
Вплив зміщення підкладки на ефект зменшення рухомості
-4.65•10-11
м/В2
VSAT
Швидкість при насиченні
8•104
м/сек..
A0
Коефіцієнт об’ємного заряду для довжини каналу
1.0
AGS
Коефіцієнт зміщення затвора для Abulk
0.0
1/В
Продовж. табл. 2.1
B0
Коефіцієнт об’ємного заряду для ширини каналу
0.0
B1
Коефіцієнт об’ємного заряду для зміщення ширини каналу
0.0
KETA
Коефіцієнт зміщення підкладки для ефекту об’ємного заряду
-0.047
1/В
A1
Перший параметр ефекту при відсутності насичення
0.0
1/В
A2
Другий параметр ефекту при відсутності насичення
1.0
RDSW
Паразитний опір
0.0
Ом•мкм
PRWB
Ефект підкладки для RDSW
PRWG
Коефіцієнт зміщення затвора для RDSW
1/В
WR
Зміщення ширини для розрахунку Rds
1.0
WINT
Параметр зміщення ширини для підгонки характеристик
0.0
LINT
Параметр зміщення довжини для підгонки характеристик
0.0
DWG
Коефіцієнт залежності довжини від зміщення затвора
0.0
м/В
DWB
Коефіцієнт залежності довжини від зміщення підкладки
0.0
м/
VOFF
Напруга зміщення в підпороговій ділянці при великих значеннях довжини та ширини
каналу
-0.08
NFAСTOR
Фактор зміни підпорогового режиму
1.0
ETA0
Коефіцієнт DIBL для підпорогового режиму
0.08
ETAB
Коефіцієнт зміщення підкладки для розрахунку DIBL для підпорогового режиму
-0.07
1/В
DSUB
Експонента коефіцієнта DIBL для підпорогового режиму
DROUT
CIT
Ємність інтерфейсу
0.0
Ф/м2
Продовж. табл. 2.1
CDSC
Ємність з’єднання стік/витік
2.4•10-4
Ф/м2
CDSCB
Чутливість CDSC до зміщення підкладки
0.0
Ф/В•м2
CDSCD
Чутливість CDSC до зміщення витоку
0.0
Ф/В•м2
PCLM
Параметр модуляції довжини каналу
1.3
PDIBLCL
Перший коефіцієнт для коригування DIBL?ефекту
0.39
PDIBLC2
Другий коефіцієнт для коригування DIBL?ефекту
0.0086
PDIBLCB
Коефіцієнт впливу підкладки для коригування DIBL?ефекту
1/В
DROUT
Коефіцієнт залежності від довжини каналу для коригування DIBL?ефекту
0.56
PSCBE1
Перший параметр струму підкладки
4.24•108
В/м
PSCBE2
Другий параметр струму підкладки
1.0•10-5
м/В
PVAG
Залежність росту напруги від зміщення затвора
0.0
DELTA
Параметр згладжування VDS
0.01
NGATE
Концентрація легування полікремнію
см-3
ALPHA0
Перший параметр струму ударної іонізації
м/В
BETA0
Другий параметр струму ударної іонізації
30
RSH
Опір стік-витік
0.0
Ом/м2
JSSW
Густина бокового струму
А/м
JS
Струм з’єднання стоку та витоку
l•10-4
А/м2
Частотні параметри та параметри розрахунку вольт-фарадних характеристик
XPART
Режим розподілу заряду в каналі
CGS0
Ємність перекриття витік-затвор
розрахо-вується
Ф/м
Продовж. табл. 2.1
CGD0
Ємність перекриття стік-затвор
розраховується
Ф/м
CGB0
Ємність перекриття підкладка-затвор
0.0
Ф/м
CJ
Ємність з’єднання
5•10-4
Ф/м2
MJ
Коефіцієнт ємності з’єднання
0.5
MJSW
Коефіцієнт ємності з’єднання стоку та витоку
0.33
CJSW
Ємність бокового з’єднання стоку та витоку
5•10-10
Ф/м
CJSWG
Коефіцієнт ємності з’єднання стоку/витоку та затвора
CJSW
Ф/м
MJSWG
Коефіцієнт ємності з’єднання стоку/витоку та затвора
MJSW
PBSW
Вбудований потенціал бокового з’єднання стоку/витоку
1.0
PB
Вбудований потенціал підкладки
1.0
PBSWG
Вбудований потенціал бокового з’єднання стоку/витоку та затвора
PBSW
CGS1
Ємність перекриття слаболегованої ділянки джерело-затвор
0.0
Ф/м
CGD1
Ємність перекриття слаболегованої ділянки стік-затвор
0.0
Ф/м
CKAPPA
Коефіцієнт ємності перекриття для слаболегованих ділянок
0.6
Ф/м
CF
Межова ємність
- Киев+380960830922