Вы здесь

Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe

Автор: 
Фокша Александр Яковлевич
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
1984
Количество страниц: 
213
Артикул:
181893
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ ГЕТЕРОПЕРЕХОД гпБесаБе И КАСКАДНЫХ Ф0Т0ПРЕ0БРАЗШАТЕЛЕЙ.
1.1. Зонные диаграммы и механизм прохождения тока в гетеропереходах.
1.2. Получение гетеропереходов рйпТе пСйБе .
1.3. Электрические свойства гетеропереходов гпТе
саБе .
1.4. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов йпТе
саБе .
1.5. Каскадные фотопреобразователи.
1.6. Выводы по обзору и постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗГОТШЛЕНШ ДВУХСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНШЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ саБе
2.1. Методика изготовления кристаллов йпТе легированных Р и Ав и их электрические свойства.
2.1.1. Получение кристаллов гпТе легированных р
2.1.2. Электрические свойства кристаллов гпТе
Р , Ав .
2.1.3. Люминесцентные свойства кристаллов гпТе
Р , Ав .
2.2. Методика изготовления и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев саБе .
2.2.1. Получение слоев саБе и их структурные исследования
2.2.2. Электрические, фотоэлектрические и люминесцентные свойства слоев саБе .
2.3. Изготовление гетеропереходов саБе и исследование их структур.
2.3.1. Гетеропереходы 2пТе саБе типа кристаллслой
II

З
2.3.2. Тонкопленочные гетеропереходы
. .
2.4. Выводы по второй главе
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ .
3.1. Методика исследования электрических и фотоэлектрических СВОЙСТВ гетеропереходов
3.2. Вольтамперные характеристики тонкопленочных гетеропереходов .
3.3. Вольтамперные характеристики гетеропереходов
типа кристаллслой.
3.4. Вольтфарадные характеристики гетеропереходов

3.5. Интегральные характеристики гетеропереходов
.
3.5.1. Интегральные характеристики тонкопленочных гетеропереходов .
3.5.2. Интегральные характеристики гетеропереходов
типа кристаллслой.
3.6. Спектральные характеристики гетеропереходов
.
3.6.1. Расчет спектральной чувствительности тока короткого замыкания и коэффициента собирания.
3.6.2. Экспериментальные результаты.
3.7. Определение диффузионной длины неосновных носителей в гетеропереходах .
3.8. Выводы по третьей главе
ГЛАВА 4. ИЗГОТОВЛЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТРЕХСЛОЙНЫХ КАСКАДНЫХ СТРУКТУР .
4.1. Методика изготовления и структурные исследования трехслойных каскадных фотопреобразователей

4.2. Электрические свойства каскадных трехслойных структур .
4.3. Фотоэлектрические свойства каскадной структуры
гпБе гпТе СйБе
4.4. Выводы по четвертой главе
основные вывода
ЛИТЕРАТУРА