Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой

Оглавление
Введенис ,
Глава 1. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней в
полупроводниках обзор литературы .
1.1. Метод ОЬТЭ теория, область применения, достоинства и недостатки метода
1.2. Способы повышения разрешающей способности метода ЫЛ8
1.3. Методы регуляризации решений некорректных задач
Глава 2. Проблема выбора параметра регуляризации влияние на
разрешающую способность и достоверность метода Ьар1асеОЬТ8. 2.1. Примеры снижения разрешающей способности и достоверности метода при некорректном выборе параметра регуляризации
2.2. Исследование Ацентра в кремнии методом Гар1асеБЬТ8
Глава 3. Метод ГарксеПЬТБ с выбором параметра
регуляризации по Ькривой
3.1. Метод ЬЬШЛБ используемые алгоритмы и реализация
3.2.Исследование разрешающей способности и достоверности метода ЬЬМЛБ на примере модельного релаксационного сигнала
Глава 4. РТсследование глубоких уровней с близкими значениями
коэффициентов эмиссии в полупроводниках методом ЫОиГ8 4.1. Пьезоспектроскопическая теория
4.2. Моделирование дефектного комплекса кислородвакансия в
кремнии Ацентр
4.3. Устройство одноосевого сжатия для определения симметрии
дефектов полупроводниковых кристаллов
4.4. Исследование глубоких центров с близкими значениями
коэффициентов эмиссии в монокристаллах ваЛэ
Заключение
Литература