- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Артикул:
7242 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред
- Особенности энергетических спектров и рассеяния электронов проводимости в полупроводниках в квантующих магнитных полях
- Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs
- Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах
- Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
- Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах