- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2006
Количество страниц:
148
Артикул:
7312 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
- Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния
- Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов
- Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs
- Исследование излучательных характеристик гетероструктур InGaAsP/IпР и лазеров на их основе
- Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
- Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия