Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Собственные точечные дефекты в кремнии
1.2. Растворимость точечных дефектов в полупроводнике
ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ.
2.1. Свободная энергия системы расплавполупроводник.
2.2. Минимизация свободной энергии Гиббса методом неопределенных коэффициентов Лагранжа.
2.3. Определение положения уровня Ферми.
2.4. Расчет активности примеси в расплаве.
2.5. Определение термодинамических параметров образования примеси в кремнии и германии.
2.6. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии
2.7. Выводы ко второй главе
ГЛАВА 3. ТЕРМОДШ1АМИКА ОБРАЗОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ.
3.1. Зарядовые состояния собственных точечных дефектов в кремнии
3.2. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов.
3.3. Влияние электронной подсистемы на соотношения между концентрациями вакансий и междоузельных атомов в кремнии.
3.4. Вывода к третьей главе
ГЛАВА 4 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ НА ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ
4.1 Изменение модели Воронкова для случая легированного полупроводника.
4.2. Моделирование распределения микродефектов в кремнии в процессе выращивания.
4.3. Влияние легирования на распределение микродефектов в бездислакационном
кремнии в процессе выращивания.
4.4. Выводы к четвертой главе
ГЛАВА 5. ТЕРМОДИНАМИКА РАСТВОРИМОСТИ ОДИНОЧНЫХ АТОМОВ В СИСТМЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
5.1.Рассмотрение задачи растворимость одиночных атомов в системе квантовых точек методом минимизации свободной энергии Гиббса.
5.2. Критерии эффективного введение в квантовые точки одиночного атома примеси.
5.3. Моделирование растворимости атомов фосфора в системе германиевых квантовых точек.
5.4. Выводы к пятой главе
ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ