Особенности взаимодействия СВЧ-излучения с фотонными кристаллами, содержащими в качестве неоднородностей диэлектрические, полупроводниковые и металлические включения

ВВЕДЕНИЕ
1 АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ СВЧДИАПАЗОНА.
1.1 Электродинамические свойства фотонных кристаллов СВ Чдиапазона.
1.2 Измерение параметров материалов с использованием фотонных кристалов СВЧдиапазона
2 МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И РЕЗУЛЬТАТЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СВЧДИАПАЗОНА С ОДНОМЕРНЫМИ ВОЛНОВОДНЫМИ ФОТОННЫМИ КРИСТАЛЛАМИ, СОДЕРЖАЩИМИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ И МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛОИ.
2.1 Математическая модель взаимодействия электромагнитного излучения СВЧдиапазона с одномерными волноводными фотонными кристаллами.
2.2 Результаты компьютерного моделирования спектров отражения и прохождения одномерных волноводных фотонных кристааов без нарушения периодичности
2.3 Результаты компьютерного моделирования спектров отражения и прохож дения одномерных волноводных фотонных кристаллов с нарушением периодичности, содержащим полупроводниковые и диэлектрические слои
2.4 Результаты компьютерного моделирования спектров отражения и прохождения одномерных волноводных фотонных кристаллов с нарушением периодичности, содержащих металлические слои
3 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДОВ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ НА СВЧ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОДНОМЕРНЫХ ВОЛНОВОДНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ.
3.1 Измерение толщины и электропроводности полупроводникового слоя, играющего роль нарушения периодичности фотонного кристалла, при изменении температуры.
3.2 Измерение толщины и электропроводности полупроводникового слоя, играющего роль нарушения периодичности фотонного кристалла, при смещении полупроводникового слоя внутри нарушенного слоя фотонного кристалла
3.3 Измерение толщины и электропроводности полупроводникового слоя, играющего роль нарушения периодичности фотонного кристалла, при изменении длины
нарушенного слоя фотонного кристалла
3 .4 Измерение диэлектрической проницаемости и электропроводности полупроводникового слоя, играющего роль нарушения периодичности фотонного
кристалла
3.5 Измерение электропроводности тонких нанометровыхметаллических пленок при изменении длины нарушенного слоя фотонного кристалла.
4 РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ
ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ СВЧИЗЛУЧЕНИЯ С ОДНОМЕРНЫМИ
ФОТОННЫМИ КРИСТАЛЛАМИ И ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ для ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И
МЕТАЛЛОВ
4.1 Экспериментальное измерение толщины и электропроводности полупроводникового слоя, играющего роль нарушения периодичности фотонного кристалла, при изменении длины нарушенного слоя фотонного кристалла
4.2 Экспериментальное измерение диэлектрической проницаемости и электропроводности полупроводникового слоя, играющего роль нарушения периодичности фотонного кристалла
4.3 Экспериментальное измерение электропроводности тонких нанометровых металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки и расположенных после фотонного кристалла с нарушением щтодичности
4.4 Эксперименпшыюе измерение комплексной диэлектрической проницаемости растворов жидких диэлектриков, играющих роль нарушения в микрополосковом фотонном кристалле.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ