ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1. История получения ваИ
1.2. Свойства СаЫ.
1.2.1. Кристаллическая структура
1.2.2. Зонная структура.
1.2.3. Физикохимические свойства.
1.2.4. Химические свойства и термическая стабильность.
1.2.5. Механические свойства
1.2.6. Электрофизические и оптические свойства
1.3. Методы получения эпитаксиальных слоев
1.3.1. Молекулярно лучевая эпитаксия
1.3.2. Металлеорганическая гибридная эпитаксия.
1.3.3. Хлоридногидридная эпитаксия.
1.4. Подложки для гетероэпитаксии ваЧ
1.5. Получение самоотделяющихся слоев а
1.6 Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях ваЫ
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ
ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СаЧ.
2.1 Описание установки для выращивания слоев ваЫ методом НУРЕ
2.1.1 Газовый блок
2.1.2 Печной блок.
2.1.3 Система автоматического управления прогрессом НУРЕ
2.2. Технологическая схема выращивания слоев ОаЫ
2.2.1. Подготовительные операции
2.2.1.1. Сборка реактора
2.2.1.2. Загрузка подложек
2.2.1.3. Герметизация реактора
2.2.2. Технологический цикл выращивания эпитаксиальных слоев СаИ в автоматическом режиме
2.2.2.1. Продувка установки азотом.
2.2.2.2. Нагрев печи до температуры осаждения слоя СаН.
2.2.2.3. Подача хлористого водорода
2.2.2.4. Подача аммиака в газовую схему
2.2.2.5. Нитридизация подложки сапфира.
2.2.2.6. Эпитаксия слоев СаИ.
2.2.2.7. Окончание процесса выращивания пленки.
2.2.2.8. Остывание камеры
2.2.3. Разгрузка реактора
2.3. Методы исследования эпитаксиальных слоев СаА
2.3.1. Рентгенодифрактометрические методы исследования.
2.3.2. Избирательное химическое травление
2.3.3. Атомносиловая микроскопия
ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ МЕТОДОМ НУРЕ
3.1. Определение толщины и скорости роста выращенного слоя ваК.
3.2. Выбор геометрии источника галлия
3.2.1. Первый вариант геометрии источника 7д
3.2.2. Второй вариант геометрии источника Са.
3.2.3. Третий вариант геометрии источника Оа.
3.3. Влияние расположения источника относительно подложки и расхода газаносителя, поступающего к источнику галлию на скорость роста и однородность толщины слоя по диаметру подложки.
3.4. Влияние технологических факторов на скорость роста нитрида галлия.
3.4.1. Расход хлористого водорода
3.4.2. Расход аммиака
3.4.3. Температура источника и подложки.
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИПОДЛОЖКИСАПФИРА НА СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ
ГЛАВА 5. ПОЛУЧЕНИЕ КВАЗИПОДЛОЖЕК С
ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОДСЛОЯ Т
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИИ.
ПУБЛИКАЦИИ ПО МАТЕРИАЛАМ ДИССЕРТАЦИИ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922