- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
340670 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Повышение качества процессов получения диэлектрических покрытий : при изготовлении элементов РЭУ
- Разработка основ технологии электронно-лучевой обработки боролантановых стекол для изготовления компонентов оптико-электронных приборов искусственных спутников Земли
- Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства
- Разработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структур TiO2/пористый SiC
- Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера
- Теоретический анализ и экспериментальное исследование функционирования сверхвысокочастотных интегральных схем на арсениде галлия при воздействии радиационных и электромагнитных излучений
- Разработка теоретических основ и методики проектирования электростатических МЭМП механической энергии в электрическую
- Рентгеновская диагностика твердотельных микро- и наноструктур
- Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений
- Частотные свойства и характеристики обратносмещенных коммутационных pin-диодных структур