Содержание
СПИСОК ТЕРМИНОВ И СОКРАЩЕНИЙ.
ВВЕДЕНИЕ
РАЗДЕЛ I. ЭЛЕКТРОСТАТИКА И СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ДВУХЗАТВОРНОГО ГРАФБНОВОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
1.1 Основные параметры полевого транзистора
1.2 Физические свойства носителей заряда в графеме.
1.1.1 Запрещнная зона.
1.1.2 Подвижность
1.3 Структурные особенности графеновых полевых транзисторов
1.4 Статистика носителей.
1.5 Квантовая мкость
1.6 ПОВЕРХЮСТНМЕ СОСТОЯНИЯ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА С ОКИСЛОМ.
1.7 Электростатика графеновых структур с одним затвором
1.8 Характерные масштабы графеновых структур с затвором
1.9 Решение основного уравнения электростатики.
1. мкости затвора и канала
1. Электростатика графепового полевого транзистора с двой ьм затвором.
1. Выводы
РАЗДЕЛ 2. ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТ ИКИ ГРАФЕПОВОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УЧТОМ ДВУХ РЕЖИМОВ НАСЫЩЕНИЯ
2.1 Экспериментальные вольтампер ып характеристики
2.2 Компактные модели
2.3 Соотношение диффузионного и дрейфового токов.
2.4 Уравнение непрерывности
2.5 Распределения химического и электростатического потенциалов.
2.6 Электростатическое запирание.
2.7 Насыщение скорости.
2.8 Линейный режим.
2.9 Модель ВАХ с учтом двух режимов насыщения.
2. Параметры технологии графеновых транзисторов и тип насыщения ТОКА.
2. Выводы
РАЗДЕЛ 3. ЭФФЕКТЫ СИЛЬНЫХ ПОЛЕЙ В КАНАЛЕ ГРАФЕНОВОГО
ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА.
3.1 Экспериментальные ВАХ при сильных полях в канале.
3.2 Модель инжекцнм носителей из стока в капал.
3.3 Туннельная генерация.
3.4 Ударная ионизация и генерация по механизму Оже.
3.5 Учт сопротивления контактов.
3.6 Выводы.
РАЗДЕЛ 4. СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГРАФЕНОВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
4.1 Высокочастотные графеновые транзисторы для аналоговой электроники
4.2 Экспериментальные образцы устройств на основе графеновых транзисторов.
4.3 Реализация компактной модели графенового полевого транзистора на языке Vi
4.4 ДВУХПОЛУПЕРИОДИЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ и умножитель частоты
4.5 Схема двухпозиционной фазовой манипуляции.
4.6 Смеситель.
4.7 Инвертор
4.8 Рекомендации по выпору оптимальных параметров и режима работы транзистора для аналоговых применений.
4.9 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922