Введение.
Глава 1.
Основные закономерности взаимодействии электронного зонда с твердым телом
1.1. Упругое и неупругое рассеяние электронов
1.2. Пробеги электронов и потери энергии при рассеянии
1.2.1. Функция потерь энергии
1.2.2 Сравнительный анализ пробегов электронов средних энергий в различных
мишенях
1.3. Информационная глубина и контраст изображений в режиме отраженных
электронов РЭМ
1.3.1 Два метода визуализации подповерхностных микроструктур в
1.3.2 О контрасте изображений в режиме отраженных электронов
1.4. Распределение ОРЭ по энергиям как функции глубины и утла выхода
1.4.1. Связь энергии ОРЭ и глубины их отражения
1.4.2. Зависиости распределений по энергиям и глубинам выхода от углов
детектирования
1.5. Обоснование выбора тороидального спектрометра для целей микротомографии в
отраженных электронах
Глава 2.
Физические обоснования методов спектроскопии и нанотомографии в обратнорассеинных электронах
2.1 Пространственное разрешение в режиме отраженных электронов
2.1.1. Размытие электронного зонда в твердотельной мишени и глубина выхода
отраженных электронов
2.1.2 Оценки латерального разрешения режима ОЭ в зависимости от энергии
первичных электронов
2.2 Решение обратной задачи повышения пространственного разрешения в режиме
отраженных электронов в РЭМ
2.2.1 Экспериментальное определение диаметра электронного зонда
2.2.2 Результаты моделирования экспериментов по реконструкции размытых
изображений
2.3 Определение полной энергии отраженных электронов в зависимое от углов
падения и выхода. Оптимизация полупроводниковых детекторов в РЭМ
2.3.1 Средняя энергия ОРЭ как функция угла выхода электронов
2.3.2 Расчет сигнала полупроводникового детектора для моноэнергетических
электронов
2.3.3 Расчет детектируемого сигнала для отраженных электронов 2.4 Контраст изображений в режиме детектирования отраженных электронов в
сканирующей электронной микроскопии и микротомографии
2.4.1 Контраст изображений в режиме детектирования ОЭ при использовании
кремниевого рп детектора
2.4.2 Контраст изображений в электронной микротомографии
Глава 3.
Экспериментальная реализация диагностической электронной нанотомографни н спектроскопии в РЭМ
3.1 Устройство элекгроннозондового диагностического нанотомографа
3.1.1 Устройство прибора и методики эксперимента 3.2 Демонстрационные примеры микротомографической дигностики трехмерных
интегральных микросхем
3.3 Спектроскопия вторичных и отраженных электронов в РЭМ
. 3.3.1 Особенности электронной спектроскопии в РЭМ
3.3.2 Восстановление истинных спектров отраженных электронов с учетом
аппаратной функции спектрометра
3.4 Спектроскопия вторичных электронов. Мониторинг потенциального рельефа и
локально легированных участков полупроводников
3.5 Методы электронноиндуцированного потенциала и тока в бесконтактной диагностике электрических барьеров полупроводниковых материалов и микроэлектронных структур
Заключения и выводы
Список литературы
- Київ+380960830922