Перенос электронов в транзисторных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ПОТОКА КВАНТОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ И БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ
1.1. Взаимодействие квантов высоких энергий и быстрых электронов с кристаллом полупроводника
. 1.1. Источники квантов высоких энергий
1.1.2. Ионизация полупроводников при воздействии потока квантов высоких энергий и быстрых электронов
1.1.3. Влияние горячих радиационногенерированных носителей заряда на ударную ионизацию в полупроводниковых структурах
1.1.4. Расчетноэкспериментальные методы получения энергетического спектра радиационногенерироватых электронов в полупроводниках
1.2. Физические процессы, протекающие в полупроводниковых структурах с рп переходами, при воздействиипотока квантов высоких энергий и коррелированного с ним импульса напряжения
1.2.1. Переходные ионизационные эффекты в рп переходах
1.2.2. Тепловая модель пробоя полупроводниковых приборов
1.2.3. Эффекты комплексного воздействия импульсов ионизирующего излучения и перенапряжения
1.3. Особенности переноса носителей заряда в коротких структурах
1.3.1. Кинетическое уравнение Больцмана и границы его применимости
1.3.2. Функции распределения горячих электронов по энергии
1.3.3. Эффект всшеска дрейфовой скорости во времени и пространстве
1.3.4. Связь коэффициента ударной ионизации с функцией распределения горячих носителей по энергии
1.4. Особенности переноса носителей заряда в биполярных транзисторах с тонкой базой
1.4.1. Аналитическая модель биполярного транзистора с тонкой базой на
ос ю ве БЮе
1.4.2. Границы применимости квазиклассического описания переноса электронов в биполярных транзисторах с топкой базой
1.4.3. Переходные ионизационные процессы в биполярном транзисторе с тонкой базой на основе БЮе
1.5. Математические модели переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах
1.5.1. Алгоритм метода МонтеКарло решения кинетического уравнения Болыриана
1.5.2. Квазигидродинамические модели переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах
1.5.3. Локальнополевая модель диффузиидрейфа Выводы к главе
ГЛАВА 2. РАЗВИТИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ДЛЯ АНАЛИЗА РАДИАЦИОННОСТИМУЛИРОВАННОГО ЛАВИННОТЕПЛОВОГО ПРОБОЯ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ
2.1. Методические вопросы и требования к комплексу математических моделей переноса носителей заряда в биполярных транзисторах при воздействии импульсного потока квантов высоких энергий
2.2. Аналитические модели переходных ионизационных процессов в биполярном транзисторе при воздействии импульсного потока квантов высоких энергий
2.2.1. Традиционная модель переходных ионизационных процессов в биполярном транзисторе
2.2.2. Аналитическая модель переходных ионизационных процессов в биполярном транзисторе с учетом баллистического ограничения скорости
2.2.3. Результаты моделирования переходных ионизационных процессов в биполярном транзисторе с тонкой базой
2.3. Энергетический спектр радиационногенерированных электронов в кремнии
2.4. Зависимости времен релаксации энергии и импульса электронного газа от температуры кристаллической решетки кремния
2.4.1. Времена релаксации энергии и импульса электронного газа как результат усреднения рассеяний отдельного электрона
2.4.2. Получение зависимости времен релаксации энергии и импульса электронного газа от температуры кристаллической решетки кремния
из экспериментально измеряемых величин
2.4.3. Апробация результатов расчетов зависимостей времен релаксации энергии и импульса электронного газа от температуры кристаллической решетки кремния в стационарных однородных электрических полях
2.5. Зависимость коэффициента ударной ионизации от средней энергии электронного газа
Выводы к главе 2
ГЛАВА 3. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТА ЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИНАМИКИ РАЗВИТИЯ РАДИАЦИОННОСТИМУЛИРОВАННОГО ЛАВИННОТЕПЛОВОГО ПРОБОЯ В СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
3.1. Объекты исследований
3.2. Методики измерений
3.2.1. Методика оценки уровня легирования рабочей области высокочастотных биполярных транзисторов
3.2.2. Восстановление примесного состава образцов биполярных транзисторов на основе измерений вольтамперных и вольтфарадных характеристик
3.2.3. Методика неразрушающей экспрессотбраковки образцов мощных биполярных транзисторов к воздействию одиночных импульсов напряжения и ионизирующего излучения
3.2.4. Схема измерений параметров образцов при воздействии потока
квантов высоких энергий
3.3. Результаты исследований радиационностимулированного лавиннотеплового пробоя мощного сверхвысокочастотного биполярного транзистора
3.4. Снижение напряжения питания транзистора во время воздействия как метод повышения его стойкости к импульсу ионизирующего излучения 1 Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ С ТОНКОЙ БАЗОЙ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПОТОКА КВАНТОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ
4.1. Разогрев электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии потока квантов высоких энергий и условия вброса электронов в область пространственного заряда коллекторного перехода
4.2. Особенности переноса электронов и энергетический спектр электронного газа в области пространственного заряда коллекторного перехода при воздействии потока квантов высоких энергий
4.3. Конструктивные методы повышения устойчивости мощного биполярного транзистора к радиационностимулированному лавиннотепловому пробою
Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ