Ви є тут

Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии

Автор: 

Изюмская Наталия Федоровна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000210506

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
• Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким ε, полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
• Перенос электронов в транзисторных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий
• Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
• Исследования и разработка гибридных интегральных микросхем для малошумящих входных устройств и охлаждаемых МШУ КВЧ диапазона
• Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов быстродействующих многофункциональных интегральных схем
• Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования
• Обеспечение качества паяных соединений кристаллов в полупроводниковых приборах для силовой электроники в процессе их разработки и серийного производства
• Получение и исследование тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе
• Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs