Ви є тут

Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах

Автор: 

Аврутин Виталий Семенович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000228579

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Повышение надежности интегральных схем в процессе серийного производства методом выравнивающей технологии
• Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
• Мощные лазеры на свободных электронах
• Анализ отказов и разработка технических мероприятий по повышению надежности СВЧ твердотельных модулей для радиолокационных станций
• Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов
• Физико-технологические основы формирования трехмерных микроструктур УБИС плазменными методами
• Твердотельные ядерные магнито-резонансные (ЯМР) ансамблевые квантовые компьютеры : Исследования физических основ и проблем реализации
• Фотолюминесцентный преобразователь в эффективных светодиодах белого цвета излучения
• Особенности образования наноостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями
• Разработка конструктивно-технологических методов высокоселективного синтеза ориентированных массивов углеродных нанотрубок на планарных подложках