Разработка средств автоматизации проектирования радиационно-стойкой микроэлементной базы для нового поколения систем управления двойного назначения

Введение.
1. Современное состояние средств автоматизированного проектирования микроэлементной базы для систем управления
двойного назначения.
1.1. Направление развития бортовых вычислительных
комплексов для систем управления двойного назначения
1.2. Состояние и задачи развития микроэлементной базы
для систем управления двойного назначения.
1.3. Анализ состояния средств проектирования элементной
базы нового поколения бортовых вычислительных комплексов
1.4. Задачи автоматизации проектирования современных радиационностойких микроэлектронных компонентов
для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения.
2. Обоснование структуры средств автоматизации проектирования радиационностойких КМОП, КНС БИС двойного назначения.
2.1. Методика автоматизации проектирования нового поколения элементной базы и вычислительных систем управления на ее основе.
2.2. Разработка базовых лингвистических средств дизайн центра.
2.3. Технология формирования и разработка единой
информационной среды дизайн центра
2.4 Обоснование архитектуры дизайн центра проектирования универсальной и специализированной радиационно стойких
микросхем для вычислительных комплексов систем управления.
2.5 Структура прикладных программных средств дизайн центра проектирования
3. Оценка стойкости элементной базы и математическое обеспечение расчета тепловых и термомеханических эффектов.
3.1. Алгоритм оценки стойкости микроэлектронных компонентов к специальным факторам
3.2. Комплексное решение задач моделирования тепловых, термомеханических эффектов при воздействии
рентгеновского излучения
3.2.1 Динамическая модель процессов, возникающих в конструкции микроэлектронного устройства при воздействии рентгеновского
излучения.
3.2.2. Прогнозирование тепловых эффектов
3.2.3 Прогнозирование термомеханических эффектов
3.3. Методика расчета стойкости микроэлектронных устройств к воздействию рентгеновского излучения по тепловым и термомеханическим эффектам
4. Моделирование переходных ионизационных эффектов
в элементах КМОП микросхем
4.1. Расчет мощности дозы импульсного рентгеновского,
гамма и нейтронного излучения
4.2. Моделирование переходных процессов при воздействии
импульсного излучения.
4.3 Средства схемотехнического моделирования базовых
элементов КМОП БИС
4.4. Схемотехническое моделирование базовых структур
БИС при импульсном радиационном воздействии.
5. Моделирование интегральных ионизационных эффектов в КМОПизделиях в САПР сквозного проектирования.
5.1. Общая методология моделирования радиационноиндуцированного накопления заряда в
диэлектрике МОПтранзистора с учетом влияния полевого оксида
5.2. Моделирование накопления заряда в подзатворном
диэлектрике транзистора.
5.3. Моделирование накопления заряда в диэлектрике паразитного транзистора, образованного полевым оксидом на периферии
основного канального транзистора.
5.4. Влияние вносимых при облучении структурных
повреждений на характеристики МОПструктур.
5.5. Моделирование статических видов радиации на
схемотехническом и функциональнологическом уровнях
6. Особенности реализации средств автоматизированного
проектирования радиационностойкой микросхем.
6.1 Создание научной и промышленной базы автоматизации проектирования и производства специализированных СБИС двойного назначения и вычислительных комплексов на их основе.
6.2. Особенности построения системы автоматизации
проектирования радиационностойких КМОП, КНС СБИС
6.3. Интеграция проблемноориентированного
программного обеспечения САПР
6.4. Моделирование тепловых и термомеханических эффектов.
6.5. Моделирование ионизационной реакции от
импульсного ионизирующего воздействия
6.6. Моделирование статического ионизирующего воздействия
6.7. Оценка эффективности разработанных средств
6.8. Создание библиотеки базовых элементов.
6.9. Разработка ядра функционально полного комплекса БИС двойного назначения на КМОП приборах для цифровой обработки сигналов
Литература