Содержание
Введение
Глава I. Физикоматематические основы моделирования электронного дрейфа в наноразмерных полупроводниковых структурах
1.1 Принципы квазигидродинамической модели
электронного транспорта в полупроводниках
1.2 Алгоритм реализации квазигидродинамической модели с использованием итерационного формирования структурных особенностей
1.3 Апробация метода. Результаты сравнительного моделирования эффекта насыщения скорости дрейфа
Глава II. Квазигидродинамическое моделирование электропроводности наноразмерных многослойных полупроводниковых структур
2.1 Электропроводность селективно легированных наноразмерных структур. Локальное охлаждение. Отсутствие насыщения скорости.
2.2 Электропроводность наноразмерных гетероструктур в сильном электрическом поле. Нелинейность характеристик.
2.3 Многослойные наноразмерные гетероструктуры легированные сверхрешетки. Срыв тока отрицательное дифференциальное сопротивление
Глава III. Моделирование электронных процессов в субмикронных МОП транзисторных структурах. Секционирование канала как метод повышения крутизны и управляющей способности.
3.1 Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом
3.2 Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОПтранзистора
3.3 Апробация развитой квазигидродинамической модели Заключение
Литература
- Київ+380960830922