Введение
Глава 1. Зарядка диэлектрических мишеней электронными пучками средних энергий
1.1. Вторичная электронная эмиссия на твердотельных диэлектриках
1.2. Физический механизм процесса зарядки диэлектриков электронным пучком средних энергий
1.3. Временные характеристики зарядки и релаксации зарядов в облучнных диэлектриках
1.4. Методы определения поверхностных потенциалов и зарядов на диэлектрических структурах
1.4.1. Электроннозеркальный метод измерения потенциала поверхности и накопленного заряда в РЭМ
1.4.2. Другие методы определения потенциала поверхности заряженного диэлектрика
Глава 2. Физические аспекты изучения эффектов зарядки диэлектриков при электронном облучении
2.1. Основные положения процесса зарядки диэлектриков электронными пучками с энергией 1 кэВ
2.1.1. Рассмотрение на основе зависимости коэффициента эмиссии электронов от энергии облучающего пучка
2.1.2. Электростатическое рассмотрение на основе модели двойного слоя заряда
2.2. Влияние тока утечки на потенциал зарядки и на положение второй кроссоверной точки энергии Ег
2.3. Влияние эффекта контаминации поверхности при электронном облучении
2.4 Расчт электростатического поля, возникающего в пространстве при облучении диэлектриков электронным пучком
2.4.1. Расчт возвратных полей потенциальных барьеров
2.4.2. Моделирование траекторий ускоренных вторичных электронов в поле заряженного диэлектрика в РЭМ
Глава 3. Результаты исследований зарядки диэлектриков при электронном облучении
3.1. Постановка экспериментов и методики исследований
3.1.1. Экспериментальное устройство для измерения высоковольтных потенциалов
3.1.2. Методика измерения токов утечки, смещения и аккумулированного заряда
3.1.3. Сравнительный анализ с методом оценки Уэ по рентгеновским спектрам
32. Определение характеристических параметров зарядки диэлектриков
3.2.1 Полиметилметакрилат ПММА
3.2.2 Монокристалл 0г
3.2.3 Стекло
3.2.4 АЬОз поликристаллический, аморфный, сапфир
3.2.5 ЫаС1
3.2.6 Монокристалл М0
3.2.7. Алмаз природный
3.3. Определение времени зарядки, плотности ловушек и полного заряда, аккумулированного при электронном облучении
3.4. К вопросу о контрасте изображений диэлектрических структур в РЭМ
3.4.1. Механизм формирования контраста изображения микроструктуры, находящейся под слоем диэлектрической плнки
3.4.2. Аномальный контраст на диэлектриках псевдозеркальный эффект
Основные результаты и выводы
Список литературы
- Київ+380960830922