Исследование полупроводниковых наноструктур с массивами квантовых точек и металлических нанокластеров методами сканирующей зондовой микроскопии

Содержание
Введение
Глава 1. Методы сканирующей зондовой микроскопии Обзор литературы
1.1. Физические принципы СЗМ
1.2. Применение СЗМ для исследования полупроводниковых наноструктур
1.3. Применение СЗМ для модификации свойств поверхности
1.4. Выводы
Глава 2. Разработка и применение специальных методик атомносиловой
микроскопии и нанолитографии для исследования и формирования наноструктур
2.1. Введение
2.2. Техническое описание используемого СЗМ
2.3. Исследование сколов полупроводниковых наноструктур методами АСМ
2.4. Развитие совместного применения методик селективного травления и
АСМ для исследования наноструктур
2.5. Разработка методов контактной сканирующей литографии
2.6. Выводы
Глава 3. Исследование гетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками
выращенных методом МОГФЭ
3.1. Введение
3.2. Исследование структур со слоями 1пСаАя на ваАя
3.3. Формирование квантовых точек МаАвваАя
3.4. Заращивание квантовых точек 1пСаАБ слоем ОаЛэ
3.5. Выводы
V Глава 4. Металлоорганическая газофазная эпитаксия и свойства
наноструктур АваЛв
4.1. Введение
4.2. Исследование слоев Л, осажденных на поверхность ваАя
4.3. Формирование нанокластсров А1 на поверхности ОаАэ
4.4. Эпитаксиальное заращнвание нанокластсров А1 слоями СаАэ и пОаЛБ
4.5. Теоретические исследования электрических свойств наиоконтакгов металл полупроводник
4.6. Исследования электрических и оптических свойств многослойных структур с нанокластерами А в матрице ОаЛБ
4.7. Выводы
Заключение
V Приложение 1. Свойства функции
Приложение 2. Список сокращений
Список цитированной литературы