Введение
Глава 1. Ионнопучковые методы самоформирования волнообразных
наноструктур на поверхности полупроводников
1.1. Суб0нанометровая литография и самоформирование наноструктур на поверхности полупроводников
1.2. Ионнопучковые методы самоформирования наноструктур.
1.3. Волнообразный микрорельеф на поверхности арсенида галлия
1.4. Волнообразный микрорельеф на поверхности кремния
1.5. Волнообразный микрорельеф в системах и Ы2
1.6. Модельные представления о природе волнообразного микрорельефа, инициируемого ионной бомбардировкой,
и задачи исследования
Глава 2. Волнообразный рельеф на поверхности кремния,
инициируемый ионами и 2
2.1. Регистрация стадий образования и дозовые зависимости морфологии и длины волны волнообразного микрорельефа.
2.2. Энергетические, угловые и температурные зависимости глубины образования микрорельефа, взаимосвязь глубины образования и длины волны микрорельефа.
2.3. Угловые, энергетические, дозовые и температурные зависимости морфологии, глубины формирования
и длины волны нанорельефа в системе Ы2
2.4. Геометрия и внутреннее строение волнообразной наноструктуры в системе Ы2 .
2.5. Угловые и энергетические зависимости коэффициента распыления кремния ионами 2.
2.6. Факторы, влияющие на динамику процесса образования волнообразной наноструктуры в системе Ы2 .
Глава 3. Волнообразная наноструктура в кремниинаизоляторе, в аморфном кремнии и перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов.
3.1. Формирование кристаллических кремниевых нанопроволок в структуре кремнийнаизоляторе
3.2. Волнообразная наноструктура на микроучастке
поверхности кремния.
3.3. Морфология волнообразной наноструктуры и динамика ес образования в слоях аморфного кремния различного типа
3.4. Энергетические и угловые зависимости морфологии, длины волны и глубины формирования волнообразной наноструктуры в аморфном кремнии
3.5. Перенос волнообразного нанорельефа из слоя аморфного кремния на поверхность различных материалов.
Глава 4. Модификация геометрии волнообразной наноструктуры
4.1. Жидкостное травление волнообразной наноструктуры
4.2. Плазмохимическое травление волнообразной наноструктуры
4.3. Двухстадийный процессе плазмохимического и жидкостного травления волнообразной наноструктуры.
Глава 5. Когерентность волнообразных наноструктур.
5.1. Природная когерентность волнообразного нанорельефа
в системе Н2СаАз
5.2. Когерентность волнообразной наноструктуры, индуцированная последовательной бомбардировкой поверхности кремния ионами и Ы2
5.3. Когерентность волнообразной наноструктуры в системе Ы2, индуцированная направленной обработкой поверхности кремния.
5.4. Когерентность волнообразной наноструктуры в системе Ы2т, индуцированная движущимся ленточным ионным пучком.
Глава 6. Природа волнообразной наноструктуры
6.1. Двухстадийность процесса образования волнообразной наноструктуры.
6.2. Оценка роли диффузии, вязкости и упругих напряжений
в образовании волнообразной наноструктуры
6.3. Модель образования волнообразной наноструктуры.
Глава 7. Потенциальные применения волнообразной
наноструктуры
7.1. Анализ потенциальных применений волнообразной наноструктуры.
7.2. Поляризатор оптического диапазона на основе решетки металлических нанопроволок
7.3. МОПтранзистор с периодически легированным каналом
7.3.1. Устройство МОПтранзистора с периодически легированным каналом
7.3.2. Формирование наномаски.
7.3.3. Особенности формирования сверхтонких слоев кремния, легированных мышьяком
4 7.3.4. Последовательность технологических операций
7.3.5. Электрические характеристики транзистора.
Благодарности.
Приложения
П1. Определение зависимости угла ионной бомбардировки
от угла наклона плоскости образца в РЭОС I 0
П2. ИОС и ЭОС регистрация стадий образования
волнообразного микрорельефа
ПЗ. Закономерности изменения ожеэмиссии электронов при
формировании волнообразного микрорельефа.
Список литературы.
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922