Ви є тут

Неравновесные эффекты в туннельных структурах с сильным межчастичным взаимодействием

Автор: 
Маслова Наталья Сергеевна
Тип роботи: 
докторская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
143
Артикул:
140108
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Содержание
Введение
1 Основы самосогласованного описания неравновесной кинетики в туннельных структурах
1.1 Определение туннельных характеристик с помощью диаграммной техники для неравновесных процессов.
1.2 Туннелирование между металлическими электродами с учетом релаксации .
1.3 Локализованные состояния в туннельных структурах .
1.4 Нестационарные характеристики туннельного тока дня некоторых механизмов релаксации
2 Особенности туннельных процессов в структурах пониженной размерности
2.1 Описание основной модели
2.2 Связанные состояния отщепленные от границ исходного спектра за счет туннельного взаимодействия . . .
2.3 Появление индуцированной туннельной проводимости
2.4 Возможные обобщения исследуемой модели
3 Неравновесные зарядовые эффекты при туннельной спектроскопии поверхности полупроводников
3.1 Аномалии туннельных СТС характеристик при низких температурах .
3.2 Теоретическое обоснование возникновения неравновесных зарядов .
3.3 Численное исследование возможных особенностей тунельной проводимости за счет зарядовых эффектов.
4 Туннелирование через взаимодействующие примесные состояния в модели Андерсона
4.1 Взаимодействующие примесные атомы результаты
СТМСТС экспериментов .
4.2 Основная модель неравновесного туннелирования через взаимодействующие примеси.
4.3 Исследование возможных состояний примесных атомов и анализ особенностей туннельных характеристик.
4.4 Обобщения модели
5 Туннельная спектроскопия сверхпроводящих структур нанометровых размеров
5.1 Предварительные замечания.
5.2 Основная модель для описания 5 I контакта и общее выражение
для туннельной проводимости
5.3 Структура туннельной проводимости в щели сверхпроводника при различных реализациях эксперимента
6 Плотность состояний сильно корелированных электронных систем диаграммная техника с использованием вспомогательных псевдоча
6.1 Введение.
6.2 Диаграммная техника при V ос.
6.3 Замкнутая форма производящего функционала и приближение среднего ноля.
6.4 Система из двух узлов
6.5 Самосогласованный подход.
6.6 Заключительные замечания.
7 Заключение
Литература