- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые приборы на основе явлений токовой неустойчивости в p-n-переходах и омических контактах малого размера
Тип роботи:
докторская
Рік:
2001
Кількість сторінок:
396
Артикул:
1000329317 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Нелинейные электрические и электроакустические эффекты в сверхвысокочастотных сегнетоэлектрических варакторах
- Исследование и разработка методов создания поверхностно-акустических фильтров на базе квазивеерных однофазных однонаправленных преобразователей
- Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов
- Исследование предельных режимов возбуждения поликристаллических электролюминесцентных излучающих структур
- Зависимости электрических параметров нано-МОП транзисторов со структурой КНИ от конструктивных и технологических факторов
- Моделирование дозовых и одиночных радиационных эффектов в кремниевых микро- и наноэлектронных структурах для целей проектирования и прогнозирования
- Разработка интегральной микросхемы частотного компаратора для блока управления экономайзером отечественных легковых автомобилей
- Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем
- Влияние облучения на свойства КНИ структур и полевых элементов со встроенным каналом на их основе
- Исследование процессов низкотемпературного плазмостимулированного роста пленок диоксида циркония, стабилизированного иттрием