Содержание
Введение .
Глава 1. Состояние вопроса и постановка задачи
исследования.
1.1 Спектры краевой люминесценции в полупроводниках
1.2 Люминесценция слаболегированных полупроводников
1.3 Изовалентная примесь в полупроводниках
1.4 Дефекты в 1пР.
1.5 Люминесцентные свойства и скорость поверхностной
рекомбинации в 1пР
1.6 Зонная структура 1пР
1.7 Эффективная масса носителей тока в 1пР
Выводы
Глава 2. Экспериментальные установки. Методики изготовления
образцов и измерение излучательных характеристик в п1пР.
2.1 Методика жидкофазного эпитаксиального роста 1пР
2.2 Методика исследований спектров фотолюминесценции.
2 Методика определения абсолютных значений величин
внешнего квантового выхода.
2.4 Измерение зависимости величины внешнего квантового
выхода от температуры и от уровня возбуждения
2.5 Методика исследования кинетики рекомбинационных процессов в 1пР
2.6 Устройство люминесцентного микроскопа
2.7 Экспериментальная установка и методика напыления диэлектрических пленок на 1пР
Выводы .
Глава 3. Изовалентная примесь в п1пР.
3.1 Влияние нзовалентной примеси мышьяка на дефектооб
разование в 1пР
3.2 Изучение картины люминесценции.
Выводы .
Глава 4. Люминесцентные свойства 1пР, покрытого диэлектрической пленкой 8гР2.
4.1 Экспериментальные исследования внешнего квантового
выхода 1пР, покрытого диэлектрической пленкой 8гР2.
4.2 Зависимость внешнего квантового выхода интенсивности люминесценции от уровня возбуждения
4.3 Измерение времени жизни неравновесных носителей и оценка скорости граничной рекомбинации в п1пР,
покрытом пленкой 8гР2
Выводы .
Заключение .
Литература
- Київ+380960830922