Оглавление
Общая характеристика работы
Введение.
1. Современное СОСЮНIIне исследований фншкохнчнческнх свойств пР, пЛб, СаР и диодов Шотткн на их основе.
1.1 Некоторые данные о структуре и тепловых свойствах пР, 1п Ав и СаР
1.2 Электрические свойства п Р.п Аб и Са Р
1.3 Фотоэлектрические свойства п Р.
Выводы к главе 1
2. Методика измерений.
2.1. Технология легирования фосфида индия.
2.1.1. Трудности выращивания 1п.Р с заданными параметрами
2.1.2. Подготовка к синтезу пР с одновременным легированием.
2.1.3. Методы синтеза легированного пР
2.1.4. Синтез фосфида индия дырочного типа проводимое и
2.1.5. Получение с ил ьнокомпененро ванного фосфида индия
электронною типа проводимост и
2.1.6. Диффузионное ле иропание.
2.2. Методика подготовки образцов к исследованию
2.3. Методика получения низких регулируемых температур
2.4. Методика измерений электрических п фотоэлектрических характеристик диодных структур
2.5. Оценка погрешностей измерений
Выводы к главе 2
3. Результаты исследований электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур на основе п Р, 1п Ах и Оа Р.
3.1. Диоды Шотткн на основе компенсированного рп Р
3.2. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шотткн на основе р1п Ав
3.3. Электрические свойства диодов Шотткн на основе Сгп1п Р
3.4. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур, полученных распылением Мо на пп Р.
3.5. О механизмах влияния водорода на электрические свойства диодных структур Р1пСаР
3.6. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Рс1рр 1пР и изменение их в атмосфере водорода
3.7. Зависимость фотоовета 1п Р от интенсивности света.
Рекомендации по выбору датчиков для водородосодержащих газов
Выводы к главе 3
Выводы в заключения.
Литература
- Київ+380960830922