- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Разработка основ технологии создания и исследование газочувствительных сенсоров на основе пористого SiC и структур TiO2/пористый SiC
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2006
Кількість сторінок:
135
Артикул:
233103 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образования доменов в диодах Ганна
- Разработка методов и методик проектирования многоосевых микромеханических сенсоров угловых скоростей и линейных ускорений
- Исследование хемосорбционного взаимодействия при формировании приповерхностных легированных слоев в полупроводниках и пленок на их поверхности в технологических процессах диффузии и осаждения
- Исследование и разработка процессов плазменного травления функциональных слоев СБИС с использованием источников высокоплотной плазмы
- Морфология и оптические свойства самоформирующихся островков GeSi/Si(001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4
- СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
- Физико-технологические основы разработки теплофизических микросистем на основе периодических тепловых процессов
- Структурні, електричні та оптичні властивості пористого кремнію для фотоелектричних перетворювачів
- Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN
- Электрооптические свойства жидкокристаллических ячеек с повышенной крутизной вольт-контрастной характеристики