Оглавление
Ведение
ГЛАВА 1. Нелинейные модели полевых транзисторов
1.1 Автоматизированная методика построения нелинейных моделей
1.2 Методика построения нелинейных моделей транзисторов с субмикронным затвором ФГУП 1ПП ИСТОК
1.3 Сравнение различных типов нелинейных моделей ГЛАВА.2. Амплитудные методы измерения характеристик полевых
СВЧ транзисторов
2.1 Амплитудный метод определения импедансов транзистора
2.2 Метод получения 8 параметров четырехполюсников на СВЧ с использованием амплитудных измерений амплитуды проходящей и отражнной волны
ГЛАВА 3. Усилители мощности на сосредоточенных элементах
3.1 Методика определения электрических характеристик транзистора и
параметров согласующих цепей на сосредоточенных элементах с помощью слепков
3.2. Согласующеесуммирующие цепи на сосредоточенных элементах
3.3 Разработка ваттного внутрисогласованного транзистора
Б диапазона
ГЛАВА 4. Усилители мощности и ВСТ 8, С, X, Ки диапазонов
4.1 Усилители мощности и ВСТ для АФАР Xдиапазона
4.2 Разработка ВСТ Б, С, X, Ки диапазонов
4.2.1. Разработка ВСТ С диапазона
4.2.2. Разработка ВСТ X диапазона
4.2.3. Разработка ВСТ Ки диапазона
4.3 Импульсный усилитель мощности Ки диапазона
4.4 Балочные выводы для транзистора Заключение
Литература
- Київ+380960830922