Электронный транспорт, детектирование и эмиссия терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах

Введение .
Глава 1. Основные идеи н результаты экспериментов по генерации и
детектированию ГГц излучения полупроводниковыми структурами.
1.1. Общие принципы генерации излучения терагерцового диапазона частот 0,53 ТГц объемными полупроводниковыми элементами
1.1.1. Тепловое излучение решетки кристалла.
1.1.2. Генерация терагерцового излучения кристаллом при возбуждении его лазерными импульсами фемтосекундной длительности
1.1.3. Излучение на переходах зона проводимости основное состояние мелкой ионизованной примеси
1.1.4. Экспериментальное наблюдение генерации излучения в каскадных структурах и сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот
1.2. Техника и методы детектирования излучения ТГц диапазона частот.
1.2.1. Охлаждаемые широкополосные приемники на основе объемных полупроводниковых элементов.
1.2.2. ЦР фильтры и спектры излучения источников ТГц диапазона частот
1.3. Новые принципы использования транзисторных полупроводниковых гстсроструктур в устройствах приема и генерации излучения микроволнового излучения.
1.3.1. Освоение ТГц области частот гетсробиполярным транзистором
1.3.2 Наблюдение эффекта отрицательного дифференциального сопротивления на выходных характеристиках полевого транзистора
1.3.3 Принципы генерации и детектирования электромагнитных волн, основанные на использовании коллективных явлений в плазме нолевого транзистора.
Глава 2. Особенности транспортных характеристик транзисторных гстсрострукту р с
двумерным электронным каналом.
2.1. Общее описание структур и низкополевые характеристики транзисторных гетерокомпозиций
2.1.1. Образцы транзисторных структур с электронным двумерным каналом, использованные в эксперименте, и технология их приготовления
2.1.2. Особенности низкополевого транспорта двумерных электронов в исследуемых образцах, температурные и магнитополевые зависимости поправок к проводимости
2.2. Особенности выходных характеристик короткоконального полевого
II транзистора при разогреве электронов в канале
2.2.1. Наблюдение эффекта ОДС в короткоканальном транзисторе.
2.2.2. Механизмы формирования низкополсвого отрицательного сопротивления на ВАХ корогкоканального II гетеротранзистора.
а Модель межслосвого переноса электронов в структуре
б Модели формирования транспортного канала в барьерном слое.
в Модель неоднородного транспортного канала.
Основные результаты главы 2
Глава 3. Детектирование ТГц излучения короткоканальными полевыми
I транзисторами.
3.1. Методика исследования детектирования терагерцового излучения транзистором
с двумерным газом электронов.
3.2. Исследования детектора, выполненного на полевом транзисторе
II, в терагерцовом диапазоне частот.
3.2.1. Зависимость детектируемого сигнала от величины пропускаемого тока
3.2.2. Зависимости фотоотклика гранзистора от напряжения на затворе
3.2.3. Частотные характеристики детектора на транзисторе.
3.3. Теоретические модели детектирования электромагнитного сигнала полевым транзистором
3.3.1. Эффект детектирования сигнала и плазменная модель ДьяконоваШура
3.3.2. Особенности квазистатической модели детектора, выполненного на базе короткоканального полевого транзистора.
а Диоднощслсвая модель детектора на основе полевого транзистора
б Особенности характеристик детектора, связанные с градиентными
нелинейностями, реализуемыми в канале транзистора.
3.3.3. Расчет высокочастотного отклика нолевого транзистора на основе его выходных характеристик
а ВВЧ НЕМТ.
б ВВЧ .7.3I.. НЕМТ
Основные результаты главы 3.
Глава 4. Генерация ТГц излучения полупроводниковыми гетероструктурами
4.1 Спектроскопия с использованием фильтров на циклотронном резонансе ЦР 0 4.2. Спектроскопия терагерцового излучения II транзистора с
использованием фильтров на циклотронном резонансе.
4.2.1. Наблюдение эффекта резонансной генерации в излучении транзистора.
4.2.2. Механизмы генерации тсрагерцового излучения транзистором.
Основные результаты главы 4.
Глава 5. Использование двумерных сверхрешсток в планарных транзисторных структурах для генерации герагерцового излучения
5.1. Двумерные квантовые сверхрешетки с неаддитивным законом дисперсии
минизон, блоховская генерация.
5.2. Особенности токовых нестабильностей в двумерной СР конечной ширины.
Основные результаты главы 5.
Заключение
Литература