Исследование и модификация наноструктур с использованием токовых режимов зондовой микроскопии и литографии

Оглавление
Оглавление.
Введение.
Глава 1. Современное состояние сканирующей силовой микроскопии с проводящими кантилеверами.
1.1. Основные методы сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами и области их применения.
1.2. Особенности функционирования сканирующей электропроводящей микроскопии.
1.3. Особенности функционирования метода локального зондового окисления.
1.4. Конструктивно технологические особенности создания проводящих кантилеверов
Выводы по главе 1.
Глава 2. Техника экспериментов и особенности их проведения.
2.1. Методика исследования ВАХ системы проводящий кантилеверпроводящая поверхность образца.
2.2. Методика проведения исследований в режиме электропроводящей микроскопии
2.3. Методика проведения процесса локального зондового
окисления.
Выводы по главе 2
Глава 3. Исследование методов осаждения сверхтонких проводящих пленок и создание проводящих кантилеверов СЗМ на основе газофазной карбидизации вольфрама.
3.1. Исследование методов осаждения сверхтонких проводящих плнок.
3.2. Определение долговременной стабильности сверхтонких аморфных и поликристаллических металлических пленок.
3.3. Разработка метода создания проводящих кантилеверов с покрытием на основе газофазной карбидизации вольфрама
Выводы по главе 3
Глава 4. Исследование метода локального зондового окисления сверхтонких проводящих пленок
4.1. Разработка физикохимической модели процесса локального зондового окисления, учитывающей ограничение величины тока
4.2. Исследование особенностей локального зондового окисления сверхтонких халькогенидных пленок, полученных методом молекулярного наслаивания
4.3. Исследование влияния радиуса кривизны кантилеверов и смачиваемости проводящего покрытия на разрешающую способность метода локального зондового окисления.
4.4. Исследование влияния материала сверхтонких металлических пленок на кинетику процесса их локального зондового окисления
Выводы по главе 4
Глава 5. Исследования процессов и возможностей в сканирующей электропроводящей микроскопии
5.1. Исследование влияния величины усилия прижатия зонда к образцу на вид ВАХ системы проводящий кантилевер проводящий образец.
5.2. Исследование на основе сканирующей электропроводящей микроскопии проводимости и геометрических параметров нанообъектов
5.3. Исследование на основе сканирующей электропроводящей микроскопии дефектов в металлизации СБИС с топологическими
нормами 0, мкм.
Выводы по главе 5.
Основные результаты и выводы
Список использованных сокращений
Список используемой литературы