Введение
I лава I. СЕГМБТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ И СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ ДЛЯ СВЧ ПРИМЕНЕНИЙ
1.1 Свойства сегнетоэлектрических пленок
1.2 Перестраиваемые СВЧустройства и требования к их элементам и материалам
1.3 Структурные и электрофизические параметры сегнетоэлектрических пленок Вах8гихТЮз полученных методом ВЧ магнетронного распыления.
1.4 Быстродействие тонкопленочных сегнетоэлектрических элементов.
1.5 Температурная стабильность параметров сегнегоэлектричсских элементов.
Глава 2. ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ ТОНКО 1ЛЕНОЧЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ РАЗЛИЧНОЙ КОНСТРУКЦИИ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ИХ СВОЙСТВ.
2.1 Тонкопленочные сегнстоэлектричсскис конденсаторы.
2.2 Технология создания тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов.
2.3 Методики измерения параметров тонкопленочных СЭ конденсаторов
2.5 Особенности вольтфарадных характеристик тонкопленочных конденсаторов гшоскопараллельной конструкции.
2.6 Гонкопленочные сегнетоэлектрические конденсаторы с высокой термостабильностыо параметров.
Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ МЕДЛЕННЫХ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ ОСТАТОЧНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЭ ПЛЕНКАХ В ПАРАЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФАЗЕ
3.1 Анализ процессов медленной релаксации емкости сегнетоэлектрических конденсаторов различной конструкции
3.2 Исследование электрофизических свойств сегнетоэлектрических элементов в широком диапазоне температур.
3.3 Физическая модель механизма релаксации остаточной емкости в структурах МСЭМ на основе пленок Вах8г1.ТЮ3 в параэлектрическом состоянии
3.4 Математическая модель релаксации объемного заряда в тонкопленочных
сегнетоэлектрических конденсаторах.
3.5 Технология изготовления тонкопленочных СЭ структур с подавленным медленным релаксационным откликом
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ПОДАВЛЕНИЯ ОСТАТОЧНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ В СЭ ПЛЕНКАХ В ПАРАЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФАЗЕ.
4.1 Оптические характеристики тонких сегнетоэлектрических пленок В ЭТО.
4.2 Динамика медленной релаксации остаточной емкости в сегнегоэлектрических конденсаторах при воздействии УФ излучения
4.3 Быстродействие сегнетоэлектрических конденсаторов под воздействием УФ излучения различной мощности8Ъ
Приложение.
Заключение
Список литературы
- Київ+380960830922