Разработка и исследование технологических основ формирования легированных анодных пленок диоксида кремния

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. МЕХАНИЗМЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОМПОНЕНТОВ
ЭЛЕКТРОЛИТОВ С КРЕМНИЕМ, КАРБИДОМ КРЕМНИЯ И НИТРИДОМ КРЕМНИЯ
1.1. Природа контролирующей стадии процессов анодирования кремния, карбида и нитрида кремния
в гальваностатическом режиме
1.2. Механизмы анодного окисления кремния.
1.3. Механизмы анодного окисления карбида кремния.
1.4. Механизмы анодного окисления нитрида кремния.
2. КИНЕТИКА ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ
АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ И ЕГО СОЕДИНЕНИЯХ.
2.1. Кинетика анодного окисления кремния в фосфатных,
боратных и арсенатных электролитах
2.2. Кинетика анодного окисления карбида кремния
в фосфатных и боратных электролитах
2.3. Кинетика анодного окисления нитрида кремния в
боратных и фосфатных электролитах
3. СОСТАВ, СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК БтНА КРЕМНИИ И ЕГО СОЕДИНЕНИЯХ
3.1. Влияние концентрации фосфатных, боратных и арсенатных электролитов на содержание фосфора, бора и мышьяка
в анодном диоксиде кремния.
3.2. Распределение легирующих примесей по толщине
анодных оксидных пленок кремния.
3.3. Строение легированных анодных оксидных пленок кремния.
3.4. Строение легированных реанодированиых оксидных пленок кремния
3.5. Свойства легированных анодных оксидных пленок кремния
4. ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЙ ИЗ ЛЕГИРОВАННЫХ АНОДНЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК ЛАОП КРЕМНИЯ
4.1. Влияние технологических режимов формирования ЛАОП на параметры диффузионных слоев
4.2. Влияние температуры и времени диффузии на параметры легированных фосфором и бором слоев кремния.
4.3. Диффузия фосфора в кремний из электролитически
легированных термических оксидных пленок кремния
4.4. Совместная диффузия фосфора бора и мышьяка в кремний
4.5. Диффузия фосфора в кремний из анодных оксидных
пленок в условиях быстрой термической обработки
5. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛАОП ПРИ СОЗДАНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
5.1. Использование фосфорсодержащих ЛАОП
для изготовления кремниевых МОП транзисторов.
5.2. Формирование гГ слоя на светоприемной
стороне мишени кремникона
5.3. Формирование эмиттерных и базовых областей прп транзисторов диффузией фосфора и бора
из анодных оксидных пленок кремния
5.4. Применение диффузии бора из анодных оксидных пленок
в технологии кремниевых интегральных микросхем
5.5. Перспективные технологические схемы
с использованием ЛАОП в качестве твердого диффузанта
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
ПРИЛОЖЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность