ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИД ЦИНКА
1.1. Общая характеристика оксида цинка
1.2. Методы получения эпитаксиальных пленок.
1.2.1. Молекулярно лучевая эпитаксия.
1.2.2. Метод газофазной эпитаксии
1.2.3. Магнетронное распыление.
1.2.4. Метод импульсного лазерного напыления.
1.3. Получение легированных пленок 2пО п типа.
1.4. Получение легированных пленок 2пО р типа.
1.5. Методы исследования тонких пленок
1.5.1. Исследование морфологии пленок методом атомносиловой микроскопии.
1.5.2. Исследование морфологии пленок методом электронной микроскопии.
1.5.3. Рентгенодифракционный анализ тонких пленок
1.5.4. Определение состава пленок методом фотоэлектронной спектроскопии.
1.5.5. Фотолюминесценция пленок в диапазоне температур от К до 0 К.
1.5.6. Исследование электрических свойств тонких пленок
1.6. Гомо и гстеро р п переходы на основе оксида цинка
1.7. Выводы.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Экспериментальная установка для выращивания эпитаксиальных пленок оксида цинка методом импульсного лазерного напыления.
2.2. Методика изготовления керамических мишеней.
2.3. Подготовка и исследование подложек для получения пленок 2пО.
2.4. Получение нелегированных пленок 2пО
2.4.1. Влияние типа подложки на спектры фотолюминесценции нелегированных пленок 2пО.
2.4.2. Влияние параметров осаждения ИЛН на спектры фотолюминесценции нелегированных пленок .
2.4.3. Влияние отжига на спектры фотолюминесценции нелегированных пленок
2.5. Выводы.
ГЛАВА 3. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ ОКСИДА ЦИНКА, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО
НАПЫЛЕНИЯ.
3.1. Эпитаксиальные пленки оксида цинка п типа, легированные
элементами III группы.
3.1.1. Исследование пленок оксида цинка, легированных галлием
3.1.1.1. Скорость роста пленок 2пОСа
3.1.1.2. Морфология пленок 2пОЮа.
3.1.1.3. Кристалличность пленок 2п0ва.
3.1 Л.3.1. Влияние легирования галлием на структурные характеристики пленок 2пО при осаждении на монокристаллы 2пО
3.1.1.3.2. Влияние давления буферного газа на параметры решетки пленок 2пОва
3.1.1.3.3. Влияние плотности энергии на мишени на параметры решетки пленки 2пОСа
3.1.1.3.4. Влияние температуры подложки на
кристаллографические параметры пленок 2пООа.
3.1.1.4. Фотолюминесценция пленок 2пООа
3.1.1.5. Оптические характеристики пленок 2пОва
3.1.1.5.1. Управление величиной запрещенной зоны пленок
при легировании галлием.
3.1.1.5.2. Зависимость поглощения пленок 2п0 в ИК области
от уровня легирования галлием.
3.1.1.6. Электрические свойства пленок 2пОЮа
3.1.2. Свойства пленок оксида цинка, легированных алюминием.
3.1.3. Создание и исследование металлических контактов на пленках
оксида цинка п типа
3.2. Эпитаксиальные пленки оксида цинка р типа, легированные элементами V группы
3.2.1. Свойства пленок оксида цинка, легированных азотом
3.2.1.1. Морфология пленок 2пОИ
3.2.1.2. Кристалличность пленок 2пОИ.
3.2.1.3. Фотолюминесценция пленок 2пОДО.
3.2.1.4. Электрические свойства пленок 2пОЫ.
3.2.1.5. Активация акцепторных центров в пленках
термическим отжигом
3.2.2. Свойства пленок оксида цинка, солсгированных галлием и азотом.
3.2.2.1. Кристаллические свойства пленок 2пОСа,Ы
3.2.2.2. Оптические свойства пленок 2пООа,Ы.
3.2.2.3. Ренгсновская фотоэлектронная спектроскопия пленок
2пОСа,Ы.
3.2.2.4. Электрические свойства пленок 2пООа,Г4.
3.2.2.5. Морфология пленок 2пОСа,Ы
3.2.3. Свойства пленок оксида цинка, легированных фосфором.
3.2.4. Создание и исследование металлических контактов на пленках оксида цинка ртипа
3.3. Выводы
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА р п ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА
4.1. Гетеропереходы ппОр и ргпОп
4.2. Гетеропереходы п2пОрСаЫ
4.3. Гомопереходы пХпОрХпО
4.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922