Ви є тут

Квантоворазмерные эффекты в двумерных гетероструктурах на основе ZnO, полученных методом импульсного лазерного напыления

Автор: 
Лотин Андрей Анатольевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
149
Артикул:
233000
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ГЛАВА 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Основные преимущества гетероструктур перед объемными полупроводниками.
1.1.1. Модель Андерсона для классификации гетероструктур.
1.1.2. Квантовая яма конечной глубины и с проницаемыми барьерами
1.2. Методы и механизмы эпитаксиального роста тонких пленок и многослойных гетероструктур
1.2.1. Методы молекулярнолучевой и газофазовой эпитаксии гетероструктур.
1.2.2. Метод импульсного лазерного напыления.
1.2.3. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок.
1.3. Оксид цинка и его основные физические свойства
1.4. Экситоны в полупроводниках
1.4.1. Экситоны в оксиде цинка.
1.4.2. Температурное поведение экситонов.
1.5. Гетероструктуры на основе оксида цинка
1.6. Приборное применение оксида цинка.
1.7. Выводы
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦОВ
2.1. Экспериментальная установка для импульсного лазерного напыления
2.2. Подготовка подложек.
2.3. Методы исследования образцов
2.3.1. Исследование электрофизических свойств
2.3.2. Рентгеноструктурный анализ
2.3.3. Атомносиловая и электронная сканирующая микроскопии
2.3.4. Оптическая спектроскопия
2.3.5. Низкотемпературные исследования.
2.3.6. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.
2.4. Выводы.
ГЛАВА 3. ТОНКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ гпО, .x.x, саугп,.у0 И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ.
3.1. Пленки оксида цинка и тройные растворы на его основе.
3.1.1. Тонкие эпитаксиальные пленки оксида цинка.
3.1.2. Столбчатые наноструктуры
3.1.3. Нанокластеры
3.1.4. Пленки тройных растворов xx и Ссщ.уО
3.2. Квантовые ямы x.x
3.2.1. Структурные свойства квантовых ям xx, полученных методом импульсного лазерного напыления
3.2.2. Численный расчет энергии перехода в квантовых ямах x.x с помощью трансцендентного уравнения
3.2.3. Экспериментальное наблюдение квантоворазмерных эффектов в МКЯ x1x.
3.2.4. Стимулированное излучение в МКЯ x.x при
оптической накачке.
3.3. Выводы.
ГЛАВА 4. СВЕТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА
4.1. Механизмы протекания тока в омических контактах металлполупроводник 7пО и ОаИ
4.2. Исследование сопротивлений металлических контактов к пленкам р
ваМ и пЪпО
4.3. Светоизлучающие гетероструктуры на основе оксида цинка
4.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ