ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Методы пассивации и защиты поверхности зеркального скола полупроводниковых светоизлучающих приборов на основе соединений АИВ
1.1. Применение полимерных материалов в качестве пассивирующих и
изолирующих покрытий
1.1.1. Сульфидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ
1.1.2. Пассивация поверхности полупроводников АШВУ с помощью полиимидов
1.1.3. Отражающие покрытия на основе полимеров
1.2. Защита поверхности полупроводников АШВУ с помощью осаждения
барьерного слоя
1.3. Просветляющие и отражающие неорганические защитные покрытия
1.4. Предварительная очистка поверхности полупроводника
1.5. Трхступенчатая технология пассивации
1.6. Выводы к главе 1
ГЛАВА 2. Материалы и методы исследования
2.1. Материалы
2.2. Исследование рельефа плнок, методом атомносиловой
микроскопии
2.3. Исследование плнок методом ИК Фурье спектроскопии.
2.4. Измерение порога катастрофы лазерных диодов
2.5. Измерение напряжения пробоя толстых плнок
2.6. Вакуумная установка
2.7. Измерение спектров пропускания
2.8. Измерение динамических вольтамперных характеристик
2.9. Измерение спектров фотолюминесценции
2 Измерение ОЖЕ спектров поверхности
2 Методика расчета спектральных характеристик матричным методом
2 Выводы к главе
ГЛАВА 3. Наноразмерные слои на основе полиамидокислот и нолиамидоимидов в качестве защитного и пассивирующего покрытия в полупроводниковых АЮаАвЛЗаАз гстероструктрах
3.1. Исследование полимерных пленок ПАК и ПАИ
3.1.1. Исследование плнок методом ИК Фурье спектроскопии
3.1.2. Исследование рельефа плнок, полученных адсорбцией из раствора методом атомносиловой микроскопии
3.1.3. Измерение порога катастрофы лазерных диодов
3.1.4. Измерение спектров пропускания и отражения полимерных покрытий
3.1.5. Влияние коэффициента отражения выходного зеркала на коэффициент потерь плоского резонатора и его добротность
3.1.6. Влияние коэффициента сажеобразования полимерного покрытия на предельную мощность полупроводниковых светоизлучающих приборов
3.2. Исследование изоляционных свойств полимерных плнок, полученных методом центрифугирования
3.2.1. Измерение вольтамперных характеристик плнок ПАИ
3.3. Выводы к главе
ГЛАВА 4. Исследование неорганических материалов для защиты поверхности полупроводниковых приборов на основе АЮаАБОаАБгетероструктур
4.1. Исследование оптических и структурных характеристик плнок
нитрида кремния, селенида цинка и оксида алюминия
4.1.1. Исследование плнок, полученных испарением в вакууме, методом атомносиловой микроскопии
4.1.2. Измерение спектров пропускания
4.1.3. Измерение порога оптической катастрофы лазерных диодов
4.1.4. Двухслойные защитные покрытия
4.2. Исследование влияния азотной ионной бомбардировки на поверхность полупроводника
4.3. Выводы к главе 4.
Заключение Список литературы
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ ЭЛИ электроннолучевое испарение атомносиловая микроскопия ИА ионное ассистирование ИР ионное распыление ЭЦР электронноциклотронный резонанс ХОП химическое осаждение из паровой фазы ИЯК испарение из ячейки Кнудсена СВВ сверхвысокий вакуум СВЖ среднее время жизни i v
КОЛЗ катастрофическая оптическая деградация зеркал КПД коэффициент полезного действия ИК инфракрасный
органический светоизлучающий диод
ПАИ полиамидоимид
ГАК полиамидокислота
октадецилтиол
xi i
i i
ПИ полиимид
транзистор с высокой подвижностью электронов
V плазмохимическое осаждение
ДМАА диметилацетамид
ГОС припой оловянносвинцовый
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность