Ви є тут

Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5

Автор: 

Хренов Григорий Юрьевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

1999

Кількість сторінок: 

399

Артикул:

1000248811

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Неразрушающие высоколокальные методы электронно-зондовой диагностики приборных структур микро- и наноэлектроники
• Формирование локальных высокоомных пористых областей в кремнии и кремний-германии методом неоднородного химического травления
• Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов
• Однослойные углеродные нанотрубки и некоторые композиты на их основе : строение и электронные свойства
• Повышение надежности интегральных схем в процессе серийного производства методом выравнивающей технологии
• Перенос электронов в транзисторных структурах в сильных резконеоднородных электрических полях при воздействии потока квантов высоких энергий
• Разработка и исследование управляемых выпрямителей на основе биполярных статических индукционных транзисторов
• Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов
• Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
• Разработка конструктивно-технологических методов роста углеродных наноструктур для автоэмиссионных применений