Ви є тут

Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения

Автор: 

Воротилов Константин Анатольевич

Тип роботи: 

докторская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

388

Артикул:

1000294424

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Многокомпонентные нанокомпозиты на основе SnO2:Y2O3,SnO2:SiO2 и их электрофизические и газочувствительные свойства
• Медленная релаксация емкости многослойных СВЧ-структур на основе пленок BaxSr1-xTiO3 в параэлектрической фазе
• Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов
• Электрофизические свойства плёночных фотопроводящих структур на основе CdS со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием
• Разработка схемотехнических методов построения ИМС с улучшенными технико-экономическими показателями для систем радиотелекоммуникации
• Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
• Синтез и модификация свойств светоизлучающих кремниевых и кремний-углеродных нанокластеров в оксидных слоях с применением ионной имплантации
• Аналого-цифровые преобразователи конвейерного типа с пониженной потребляемой мощностью
• Моделирование электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами
• Эквиваленты индуктивности и конверторы отрицательного сопротивления во входных цепях микроэлектронных приемников электромагнитного излучения